| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
|
ЮЛ+ФЛ
|
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 113A 625W TMAX | 30 шт | 1 неделя | 8 199 руб. | |
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 100A 625W TO247 | 29 шт | 1 неделя | 4 373 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP | 20 шт | 1 неделя | 9 803 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP | 114 шт | 1 неделя | 10 545 руб. |
| (Microchip) | — | заказ | — |
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 3 368.34 руб. | ||
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 5 шт | заказ | 795.33 руб. |
| (Microchip) | — | 43 недели | 4 219.68 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 3 679.18 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 8 246.55 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 8 869.23 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 979.85 руб. | ||
| (Microchip) | — | 40 недель | 13 856.99 руб. |
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power MOSFET - MOS8 | — | 1 неделя | — |
| (Microsemi) | — | заказ | 924.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 621.80 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 103.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 516.60 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 5 878.10 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 024.93 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 9 977.83 руб. |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?