Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 100A 543W TMAX | 27 шт | 1 неделя | 3 199 руб. | |
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 100A 543W TO247 | 1 шт | 1 неделя | 3 197 руб. |
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 500-999 шт. Опт: от 1000 шт. | 27 шт | заказ | 2 265.21 руб. |
(Microchip) | — | 43 недели | 2 689.85 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 2 686.69 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 6 173.06 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 8 189.66 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 1 187.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 996.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 638.90 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — |
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 4 429.17 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 4 880.63 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
20- APT40GP60B2DQ2G
- APT40GP60BG
- APT40GP60JDQ2
- APT40GP60J
- APT40GP60SG
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?