| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (Китай) | — | 8 шт, 1 неделя |
1 шт: 13 597.20 руб. 5 шт: 12 918 руб. 10+ шт: 12 237.60 руб.
|
| (Microchip) | 1 шт | — | 2 251 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 100A 543W TMAX | 27 шт | 1 неделя | 3 199 руб. | |
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 100A 543W TO247 | 1 шт | 1 неделя | 3 197 руб. |
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: 500-999 шт. Опт: от 1000 шт. | 27 шт | заказ | 2 265.21 руб. |
| (Microchip) | 1 шт | 1 неделя | 2 954.81 руб. |
| (Microchip) | — | 43 недели | 2 689.85 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 2 686.69 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 6 173.06 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 8 189.66 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 3 875.15 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 3 255.63 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 8 094.83 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 8 227.59 руб. |
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — |
| (Microsemi) | — | заказ | 1 187.10 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 996.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 638.90 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 584 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 338.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 957.50 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 211.40 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 4 429.17 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 4 880.63 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 742.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 569.45 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?