| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (ON Semiconductor) | — | 4 недели | 4 200 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247 | 40 шт | 1 неделя | 4 739 руб. | |
| (MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 96A 543W TMAX | 26 шт | 1 неделя | 21 556 руб. | ||
| (MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 96A 543W TO247 | 19 шт | 1 неделя | 5 582 руб. | ||
| (MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP | 1 шт | 1 неделя | 13 457 руб. | ||
| (Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP | 20 шт | 1 неделя | 10 665 руб. |
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 32 шт | заказ | 2 370.50 руб. |
| (APT) упак.: SOT-227 доп. инф.: б/уп | 4 шт | — |
1 шт: 5 040 руб. 5 шт: 4 704 руб. 25+ шт: 4 368 руб.
|
| (Microsemi) | — | заказ | 2 940.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 3 447.25 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 6 118.19 руб. |
| 3 шт | — | 3 612 руб. |
| (Microchip technology) Unclassified | 600 шт | 8 недель | 3 050 руб. |
| (APT) SOT-227 б/уп | 4 шт | — | 2 800 руб. |
| (Microchip) | — | 43 недели | 3 995.26 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 3 220.87 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 7 772.43 руб. | ||
| (Microchip) | — | 48 недель | 8 910.32 руб. |
| (Microsemi) | 241 шт | 2 недели | — |
| (APT) | 4 шт | 1 неделя | 3 842.56 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 1 661.40 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 420.20 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 987.20 руб. |
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?