Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
ЮЛ+ФЛ
|
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 600V 100A 463W TO247 | 10 шт | 1 неделя | 3 019 руб. | |
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 100A 463W TO247 | 12 шт | 1 неделя | 1 908 руб. |
(Microchip Technology) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 360.28 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | 16 шт | заказ | 1 254.34 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 689.95 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 766.95 руб. |
(Texas) | 40 шт | 3 недели | 380 руб. |
(Microchip) | — | 43 недели | 1 785.86 руб. | ||
(Microsemi) | — | 6 недель | 1 959.70 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 267.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 389.70 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 817.20 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 2 240.10 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
21- APT30GP60BG
- APT30GP60BDQ1G
- APT30GP60JDQ1
- APT30GP60B2DLG
- APT30GP60LDLG
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?