Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 75A 521W TO247 | 47 шт | 1 неделя | 1 211 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 928.01 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 340.87 руб. |
(Microchip) | — | 40 недель | 1 134.73 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 428.69 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 352.83 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 649.94 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 537.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 675 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 448.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 649.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 828 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 551.60 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
20- APT25GR120B
- APT25GR120S
- APT25GR120SD15
- APT25GR120BD15
- APT25GR120SSCD10
- APT25GR120BSCD10
![To top](/media/i/to_top.png)
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?