Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
1 шт | заказ | 1 496 руб. |
транзистор (TO-247, IGBT 900V 72A 417 WMicrosemi Power Products Group) | 1 шт | — | 770 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 1 958.21 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 423.22 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 69A 417W TO247 | 32 шт | 1 неделя | 4 965 руб. | |
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 900V 72A 417W TO247 | 51 шт | 1 неделя | 2 130 руб. |
16 шт | — | 1 125 руб. | |||
1 шт | — | 1 270.50 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 1 048.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 966.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 908.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 834.30 руб. |
(MICROCHIP) | 16 шт | 1 неделя | 978.44 руб. |
(Microchip) | — | 43 недели | 2 376.93 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 918.61 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 1 826.95 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
22- APT25GP90BDQ1G
- APT25GP90BG
- APT25GP120BDQ1G
- APT25GP120BG
- APT25GP90BDQ1G (2013г.)
- APT25GP120BDQ1
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?