Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
16 шт | — | 1 125 руб. | |||
1 шт | — | 1 270.50 руб. |
1 шт | заказ | 1 496 руб. |
транзистор (TO-247, IGBT 900V 72A 417 WMicrosemi Power Products Group) | 1 шт | — | 700 руб. |
(CONTA-CLIP) | — | заказ | — |
(Microchip];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 684.80 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 291.99 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 347.66 руб. | ||
(MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 000.65 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(OptiFuse) FUSE AUTO 25A 48VDC BLADE MICRO | 3009 шт | 1 неделя | 152 руб. | |
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK | 155 шт | 1 неделя | 1 839 руб. | ||
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 69A 417W TO247 | 32 шт | 1 неделя | 4 826 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 900V 72A 417W TO247 | 51 шт | 1 неделя | 2 070 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 75A 521W TO247 | 118 шт | 1 неделя | 1 287 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 268 шт | 1 неделя | 1 536 руб. | ||
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 54A 347W TO247 | 19 шт | 1 неделя | 3 599 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 54A 347W TO247 | 1225 шт | 1 неделя | 1 518 руб. | ||
(Essentra Components) ANCHOR RIVET, PLASTIC PIN, .250 | 7500 шт | 1 неделя | 47 руб. | ||
(Essentra Components) ANCHOR RIVET, PLASTIC PIN, .250 | 9983 шт | 1 неделя | 51 руб. | ||
(Essentra Components) ANCHOR RIVET, PLASTIC PIN, .250 | 2000 шт | 1 неделя | 54 руб. | ||
(Essentra Components) ANCHOR RIVET, PLASTIC PIN, .250 | 8 шт | 1 неделя | 114 руб. |
(MICROCHIP) | 16 шт | 1 неделя | 972.80 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 977.70 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 121.71 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 868.21 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 357.81 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 995.33 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 438.14 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 405.81 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — |
(Microsemi) микросхема интегральная электронная 1642+ TO-247 N/A 1 | 5000 шт | 5 недель | — |
(Microchip technology) Unclassified | 800 шт | 8 недель | 1 530 руб. | ||
(Microchip technology) ЭлектроэлементTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 500 шт | 8 недель | 3 960 руб. |
(Microchip) | — | 66 недель | 7 740.82 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 2 054.53 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 1 390.76 руб. | ||
(Microchip) | — | 29 недель | 1 618.33 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 2 376.93 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 918.61 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 1 826.95 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 134.73 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 428.69 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 1 352.83 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 649.94 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 687.87 руб. | ||
(Microchip) | — | 32 недели | 1 337.02 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 6 963.26 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 3 412.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 922.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 625.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 723.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 048.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 966.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 908.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 834.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 537.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 675 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 448.10 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 649.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 828 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 551.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 883.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 757.80 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 601.20 руб. |
(Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | — | 1 неделя | — | ||
(APT) | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power МОП-транзистор - SiC | — | 1 неделя | — |
205 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
92- APT25GN120SG
- APT25GT120BRDQ2G
- APT25GT120BRG
- APT25GP90BDQ1G
- APT25GR120S
- APT25GP90BG
- APT25GR120B
- APT25GN120BG
- APT25GP120BDQ1G
- APT25GP120BG
- APT25GR120SD15
- APT25GLQ120JCU2
- APT25GN120B2DQ2G
- APT25M100J
- APT25GR120BD15
- APT25GR120SSCD10
- APT25GP90BDQ1G (2013г.)
- APT25GR120BSCD10
- APT25GP120BDQ1
- APT25SM120S
- APT25SM120B
- APT25GT120BRDQ2 TO247
- APT-25A
- APT25GT120BRDLG
- APT25GF120JCU2
- 61APT25125
- 61APT25150
- 61APT25075
- ZAPT 2,5/4A BG
- 61APT25100
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?