Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(Microchip technology) Unclassified | 800 шт | 8 недель | 1 110 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 600V 56A 250W TO247 | 100 шт | 1 неделя | 1 321 руб. | |
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 900V 43A 250W TO247 | 80 шт | 1 неделя | 2 148 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 1 446.17 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 027.30 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — |
(Microchip) | — | 43 недели | 1 109.44 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 970.37 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 245.36 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 367.20 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 543.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 623.70 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 609.30 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — |
3357 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
24- APT15GP60BDQ1G
- APT15GP90BDQ1G
- APT15GP60BG
- APT15GP90BG
- APT15GP60BDLG
- APT15GP60KG
- APT15GP90KG
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?