| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| (Microsemi) | — | заказ | 1 137.36 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 5 149.87 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 6 726.31 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 4 811.31 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — | ||
| (Microsemi) | — | заказ | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP | 217 шт | 1 неделя | 10 043 руб. |
| (MICROCHIP TECHNOLOGY) / М.опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 7 771.58 руб. |
| (Microchip technology) Discrete Semiconductors\Igbt Transistors\Igbt ChipIGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOPВ | 500 шт | 8 недель | 9 040 руб. | ||
| (Microchip technology) UnclassifiedМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | 500 шт | 8 недель | 7 450 руб. |
| (Microchip) | — | 29 недель | 9 741.62 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 13 983.42 руб. | ||
| (Microchip) | — | 29 недель | 4 121.70 руб. | ||
| (Microchip) | — | 29 недель | 6 653.50 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 8 022.13 руб. | ||
| (Microchip) | — | 43 недели | 5 819.05 руб. | ||
| (Microchip) | — | 29 недель | 12 994.09 руб. |
| (Microsemi) | — | заказ | 252.90 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 074.50 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 671.20 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 630.80 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 212.20 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 1 701 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 094.30 руб. | ||
| (Microsemi) | — | заказ | 2 766.60 руб. |
| 1198 этикетка | 175 шт | 1 неделя | — |
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi | — | 1 неделя | — | ||
| (Microsemi) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single | — | 1 неделя | — |
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?