Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
ЮЛ+ФЛ
|
(Diodes Incorporated) TRANS NPN 450V 1.5A TO251 | 1635 шт | 1 неделя | 112 руб. | |
(Diodes Inc (DII)) TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | 3278 шт | 1 неделя | 28.60 руб. | ||
(DIODES INC.) TRANS NPN 900V 1.5A TO92 | 245 шт | 1 неделя | 53 руб. | ||
(Microchip Technology) MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 | 181 шт | 1 неделя | 2 477 руб. | ||
(MICROCHIP (MICROSEMI)) Транзистор: IGBT 1200V 41A 250W TO247 | 82 шт | 1 неделя | 2 778 руб. | ||
(Microchip Technology) Транзистор: IGBT 1200V 41A 250W TO247 | 56 шт | 1 неделя | 1 438 руб. |
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 78.95 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 66.81 руб. | ||
(Diodes Inc) | — | заказ | 20.24 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 70.86 руб. | ||
(Diodes Inc) | — | заказ | 22.27 руб. | ||
(Diodes Inc) | — | заказ | 15.18 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 72.88 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 60.73 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | — | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 87.05 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 137.67 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 123.49 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 72.88 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 110.33 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 67.82 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 110.33 руб. | ||
(Diodes Incorporated) | — | заказ | 107.30 руб. | ||
(LinkSprite Technologies, Inc) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 1 211.65 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — |
(2015 г.) 1201 этикетка есть. | 3 шт | 1 неделя | 152.38 руб. | ||
(2013 г.) 1117 этикетка есть | 84 шт | 1 неделя | 686.69 руб. | ||
(2014 г.) 1117 этикетка есть | 20 шт | 1 неделя | 1 414.63 руб. | ||
(2015 г.) 1117 этикетка есть | 30 шт | 1 неделя | 1 454.13 руб. | ||
(2015 г.) 1315 этикетка | 912 шт | 1 неделя | — |
(Microchip technology) Unclassified | 800 шт | 8 недель | 1 200 руб. |
(Microsemi) | — | заказ | 905.40 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 337.50 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 480.60 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 183.60 руб. |
(DIODES INC.) | — | 7 недель | 36.84 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 2 177.80 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 2 395.89 руб. | ||
(Microchip) | — | 43 недели | 1 425.53 руб. | ||
(Microchip) | — | 48 недель | 1 264.32 руб. |
(IR) | 6354 шт | 2 недели | — | ||
(Microsemi) | 90 шт | 2 недели | — |
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 250V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 1.1W | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W | — | 1 неделя | — | ||
(BCD) | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 530V NPN HV Trans 900Vces 10Vebo 1.5A | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 28W | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | — | 1 неделя | — | ||
(Diodes Incorporated) Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8 | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | — | 1 неделя | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
71- APT13GP120BG
- APT13GP120BDQ1G
- APT13F120B
- APT13003NZTR-G1
- APT13F120S
- APT13003DI-G1
- APT13003LZTR-G1
- APT13005SU-G1
- Транзистор APT13F120B
- APT13003HZTR-G1
- APT13003EZTR-G1
- APT13003SZTR-G1
- APT13005STF-G1
- APT13003DZTR-G1
- APT13003EU-G1
- APT13003DU-G1
- APT13005DT-G1
- APT13005DTF-G1
- APT13003HU-G1
- APT13005TF-G1
- APT13005SI-G1
- APT13005T-G1
- APT13005DI-G1
- APT13003SU-G1
- Микросхема APT13F120B
- APT13003EZTP-E1 TO-92
- APT13GP120KG
- Рукав плетёный Expanda PT 13-3
![To top](/media/i/to_top.png)
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?