|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 1K; Uпит.=5В (±10%); Tраб. 0…+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 2K; Uпит.=5В (±10%); Tраб. 0…+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема электрически стираемой перепрограммируемой последовательной памяти; EEPROM 4K; Uпит.=5В (±10%); Tраб. 0…+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два промышленных операционных усилителя; Uпит.=±16 или 32В; Tраб. -25...+85°C; маркировка LM258AP
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два промышленных операционных усилителя; Uпит.=±16 или 32В; Tраб. 0...+70°C; маркировка LM358AP
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два компаратора; Uпит.=2…30В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема универсальный активный фильтр; Uпит.=±6,0…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокоскоростной инструментальный усилитель с FET-входом; Uпит.=±6,0…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный инструментальный усилитель; Uпит.=±2,25…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два малошумящих операционных усилителя; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель; Uпит.=±3,0…±20В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высоковольтный операционный усилитель с FET-входом; Uпит.=±10…±45В; Tраб. -55...+125°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема инструментальный усилитель с программируемым коэффициентом усиления; Uпит.=±4,5…±18В
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема инструментальный усилитель с программируемым коэффициентом усиления; Uпит.=±4,5…±18В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема два малошумящих операционных усилителя; Uпит.=±5,0…±15В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема малошумящий операционный усилитель; Uпит.=±3,0…±20В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема высокочастотный преобразователь напряжение-частота; Uпит.=±8,0…±18В; Tраб. -25...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема прецизионный двухпроводной передатчик с малым дрейфом, 4–20 мА; Uпит.=11,6…40В; Tраб. -40...+85°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема инвертирующий регулятор напряжение; Uвх=3...40В; Iвых=1,5мА
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема инвертирующий регулятор напряжение; Uвх=3...40В; Iвых=1,5мА
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема восемь NPN транзисторов 50V 0.5A Дарлингтона
|
—
|
3 недели
|
27.60 руб.
|
|
|
Микросхема дифференциальный шинный трансивер; Uпит.=4,75...5,25В; Tраб. 0...+70°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема последовательной FLASH-памяти 3V 32M-разрядная с двойным и четырехъядерным SPI; Uпит.=2,7…3,6В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Микросхема FLASH памяти; FLASH 8M-bitМб; Uпит.=2,7...3,6В; Tраб. -40...+105°C
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?