Еще предложения

Купить AOWF у поставщиков

Продавец Наименование Склад Под заказ Цена
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=38мА; RDS(ON)=95(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=38*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=10мА; RDS(ON)=750(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=10А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=10мА; RDS(ON)=1000(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=10А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=650(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=11мА; RDS(ON)=870(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=399(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=11мА; RDS(ON)=399(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=28мА; RDS(ON)=125(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=28А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=12мА; RDS(ON)=520(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=12мА; RDS(ON)=550(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=12мА; RDS(ON)=720(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=14А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=15мА; RDS(ON)=290(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=15А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=15мА; RDS(ON)=290(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=15А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=24мА; RDS(ON)=160(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=24*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20*А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=199(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=25мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=25А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=37мА; RDS(ON)=9,7(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=37А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=12мА; RDS(ON)=360(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=12*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=380(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели
1 шт: 8.40 руб.
3000 шт: 7 руб.
6000+ шт: 6.47 руб.
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=30мА; RDS(ON)=15,8(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=30А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=11мА; RDS(ON)=450(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=4мА; RDS(ON)=2300(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=4А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=4мА; RDS(ON)=900(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=4А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=8мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=8*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=8,5мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=8,5мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=7мА; RDS(ON)=780(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=7мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=7мА; RDS(ON)=650(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=8А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=9мА; RDS(ON)=1200(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=9А — 3 недели —
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, TO262F — 710 шт, 6 недель
1 шт: 113.06 руб.
5 шт: 98.96 руб.
25+ шт: 93.59 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, TO262F — 968 шт, 6 недель
1 шт: 114.82 руб.
5 шт: 107.78 руб.
25+ шт: 100.54 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 710 шт 1 неделя 146 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha & Omega Semiconductor Inc.) 938 шт 1 неделя 266 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 968 шт 1 неделя 149 руб.
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 225.99 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 89.52 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHAO) — 40 недель 190 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 96.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 259.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 105.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 430.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 121.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 508.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 157.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 276.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 286.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 85.77 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 339.30 руб.
To top

Сообщение для разработчиков

Отправить
Сообщение успешно отправлено. Спасибо за обратную связь.