Еще предложения

Купить AOW у поставщиков

Продавец Наименование Склад Под заказ Цена
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=10мА; RDS(ON)=750(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=10А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=10мА; RDS(ON)=1000(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=10А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=700(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=399(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=11мА; RDS(ON)=399(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=28мА; RDS(ON)=125(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=28А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=12мА; RDS(ON)=520(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=12мА; RDS(ON)=550(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=12мА; RDS(ON)=720(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=14мА; RDS(ON)=380(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=14А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=15мА; RDS(ON)=290(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=15А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=15мА; RDS(ON)=290(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=15А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=199(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=150В; Iс=152мА; RDS(ON)=6,2(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=150В; Iи=152А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=150В; Iс=106мА; RDS(ON)=10,7(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=150В; Iи=106А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=25мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=25А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=80В; Iс=105мА; RDS(ON)=4,3(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=80В; Iи=105А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=105мА; RDS(ON)=4,1(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=105А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=70мА; RDS(ON)=9,7(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=70А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=29мА; RDS(ON)=150(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=29А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=12мА; RDS(ON)=360(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=80В; Iс=105мА; RDS(ON)=7,2(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=80В; Iи=105А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=4мА; RDS(ON)=900(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=4А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=40В; Iс=120мА; RDS(ON)=1,9(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=40В; Iи=120А; R=2,5(Ом) (при 4,5V) — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=60В; Iс=120мА; RDS(ON)=2,5(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=60В; Iи=120А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=60В; Iс=140мА; RDS(ON)=3,2(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=60В; Iи=140А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=7мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=7мА; RDS(ON)=650(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=38мА; RDS(ON)=95(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=38*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=10мА; RDS(ON)=750(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=10А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=10мА; RDS(ON)=1000(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=10А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=650(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=11мА; RDS(ON)=870(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=399(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=11мА; RDS(ON)=399(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=28мА; RDS(ON)=125(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=28А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=12мА; RDS(ON)=520(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=12мА; RDS(ON)=550(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=12мА; RDS(ON)=720(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=12А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=14А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=15мА; RDS(ON)=290(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=15А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=15мА; RDS(ON)=290(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=15А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=24мА; RDS(ON)=160(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=24*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20*А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=20мА; RDS(ON)=199(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=20А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=25мА; RDS(ON)=190(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=25А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=37мА; RDS(ON)=9,7(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=37А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=12мА; RDS(ON)=360(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=12*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=11мА; RDS(ON)=380(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели
1 шт: 8.40 руб.
3000 шт: 6.79 руб.
6000+ шт: 6.28 руб.
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=11*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=30мА; RDS(ON)=15,8(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=30А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=11мА; RDS(ON)=450(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=11А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=4мА; RDS(ON)=2300(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=4А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=4мА; RDS(ON)=900(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=4А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=8мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=8*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=8,5мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=8,5мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=7мА; RDS(ON)=780(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=7мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=650В; Iс=7мА; RDS(ON)=650(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=650В; Iи=7А — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=8А — 3 недели —
ЮЛ
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=9мА; RDS(ON)=1200(Ом) (max при VGS=10V) — 3 недели —
ЮЛ
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=9А — 3 недели —
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, TO262 — 697 шт, 6 недель
1 шт: 144.83 руб.
5 шт: 125.15 руб.
25 шт: 112.78 руб.
100 шт: 103.37 руб.
500+ шт: 88.79 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 11А, TO262 — 130 шт, 6 недель
1 шт: 129.25 руб.
5 шт: 118.63 руб.
25+ шт: 102.26 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 10А, TO262 — 806 шт, 6 недель
1 шт: 201.40 руб.
5 шт: 177.10 руб.
25+ шт: 154.18 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 46,5А, 41,5Вт, TO262 — —
1 шт: 220.02 руб.
3 шт: 194.36 руб.
10 шт: 175.59 руб.
500 шт: 155.01 руб.
1000+ шт: 135.54 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, TO262 — 874 шт, 6 недель 138.55 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8А, TO262F — 710 шт, 6 недель
1 шт: 119.48 руб.
5 шт: 104.01 руб.
25+ шт: 90.88 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, TO262F — 956 шт, 6 недель
1 шт: 124.01 руб.
5 шт: 113.02 руб.
25+ шт: 98.02 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ILME) Вытяжка, серия W-ТИПА, с 4 штифтами, боковой кабельный ввод M32, размер "77,27", высокая конструкция — —
10 шт: 4 000.52 руб.
20 шт: 3 572.36 руб.
50+ шт: 3 090.18 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ILME) Вытяжка, серия W-ТИПА, с 4 штифтами, боковой кабельный ввод M40, размер "104,27", высокая конструкция — —
10 шт: 4 214.71 руб.
20+ шт: 3 452.43 руб.
ЮЛ+ФЛ
(AUSPICIOUS) Индикаторная лампа, 30мм, PLN30, -20-60°C, Подсвет: BA9S, лампочка — 41 шт, 6 недель
1 шт: 717.44 руб.
5 шт: 663.10 руб.
10 шт: 595.88 руб.
30+ шт: 509.47 руб.
ЮЛ+ФЛ
(CHENYAO) Маркерная планка для колодок CLRP05 CLRS05F3 CLRC05F3 материал пластик цвет белый — 1800 шт, 1 неделя
1 шт: 2.40 руб.
5 шт: 2.40 руб.
10+ шт: 2.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(CHENYAO) Маркерная планка для колодок CSTS081114F2 CSTS081114F3 CSTC0814F3 CSTS14F2H CSTS14F3T материал пластик цвет белый — 1701 шт, 1 неделя
1 шт: 2.40 руб.
5 шт: 2.40 руб.
10+ шт: 2.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 232 шт заказ 360.69 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. 143 шт заказ 481.48 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio, Inc.) MICROPHONE COND ANALOG OMNI 60 шт 1 неделя 576 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio, Inc.) MICROPHONE COND ANALOG OMNI 158 шт 1 неделя 576 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio, Inc.) MICROPHONE COND ANALOG OMNI 126 шт 1 неделя 572 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 697 шт 1 неделя 171 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha & Omega Semiconductor Inc.) MOSFET N-CH 600V 28A TO262 7987 шт 1 неделя 1 051 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 130 шт 1 неделя 151 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 806 шт 1 неделя 242 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 874 шт 1 неделя 167 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 710 шт 1 неделя 141 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha & Omega Semiconductor Inc.) 938 шт 1 неделя 261 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) 956 шт 1 неделя 146 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio, Inc.) SPEAKER 8OHM 700MW TOP PORT 94DB 81 шт 1 неделя 793 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio, Inc.) SPEAKER 8OHM 1W TOP PORT 94DB 1784 шт 1 неделя 786 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Ledil) LENS CLEAR OVAL ADH TAPE 36 шт 1 неделя 882 руб.
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ
(Allen-Bradley) — 8 недель —
ЮЛ+ФЛ
(WINBOND) 1135+ SMD N/A 1 1354 шт 5 недель —
ЮЛ
(PUI Audio) — заказ 356.03 руб.
ЮЛ
(PUI Audio) — заказ 248.44 руб.
ЮЛ
(PUI Audio) — заказ 248.44 руб.
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Idec) — заказ 4 374.09 руб.
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ —
ЮЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 221.05 руб.
ЮЛ
(Murata Manufacturing) — заказ —
ЮЛ
(PUI Audio) — заказ 328.64 руб.
ЮЛ
(PUI Audio) — заказ 328.64 руб.
ЮЛ
(LEDIL OY) — заказ —
ЮЛ
(Ledil) — заказ 604.47 руб.
ЮЛ
(Ledil) — заказ 604.47 руб.
ЮЛ
(LEDiL) — заказ 231.81 руб.
ЮЛ
(Ledil) — заказ 507.64 руб.
ЮЛ
(LEDiL) — заказ 231.81 руб.
ЮЛ
(LEDiL) — заказ 231.81 руб.
ЮЛ
(LEDIL OY) — заказ —
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 88.73 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHAO) — 20 недель 205.84 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 101.24 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 158.64 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHAO) — 20 недель 402.18 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHAO) — 20 недель 196.85 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 123.69 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 89.52 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHAO) — 40 недель 190 руб.
ЮЛ+ФЛ
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) — 6 недель 96.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Ledil) — 6 недель 224.06 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Ledil) — 6 недель 174.22 руб.
ЮЛ+ФЛ
(IDEC) — заказ 1 448.10 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 105.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 428.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 233.10 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 157.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(IDEC) — заказ 2 145.60 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 277.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 428.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 286.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 315.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(IDEC) — заказ 2 511 руб.
ЮЛ+ФЛ
(IDEC) — заказ 4 252.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(PUI Audio/Projects Unlimited) — заказ 281.70 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 149.40 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 90.90 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 381.60 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 259.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 105.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 430.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 121.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 508.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 157.50 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 276.30 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 286.20 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 85.77 руб.
ЮЛ+ФЛ
(Alpha and Omega Semiconductor) — заказ 339.30 руб.
ЮЛ
(PUI Audio) Микрофоны -42DB 1.5VDC .5MA 2.2 KOHM — 1 неделя —
ЮЛ
(PUI Audio) Микрофоны -44DB 2VDC .5MA 2.2KOHM — 1 неделя —
ЮЛ
(PUI Audio) Микрофоны -44DB 2VDC .5MA 2.2KOHM — 1 неделя —
ЮЛ
(ST) — 1 неделя —
ЮЛ
(PUI Audio) Динамики и преобразователи .7W 8 OHM 500HZ 84DB — 1 неделя —
ЮЛ
(PUI Audio) Динамики и преобразователи 1W 8 OHM 320HZ 94DB — 1 неделя —
ЮЛ
(NUVOTON) — 1 неделя —
ЮЛ
(WINBOND) — 1 неделя —
ЮЛ
(NUVOTON) — 1 неделя —
ЮЛ
(NUVOTON) — 1 неделя —
ЮЛ
(Ledil) Линзы для осветительных светодиодов в сборе Assembly le 21.6x14mm D 5.9 — 1 неделя —
ЮЛ
(Ledil) Линзы для осветительных светодиодов в сборе Assembly Round 22.5 x 22.5mm D 1 — 1 неделя —
ЮЛ
(Ledil) Линзы для осветительных светодиодов в сборе Assembly square — 1 неделя —
ЮЛ
(Ledil) Линзы для осветительных светодиодов в сборе Assembly square 21.6x21.6mm(D) — 1 неделя —
ЮЛ
(Ledil) Линзы для осветительных светодиодов в сборе Assembly square — 1 неделя —
ЮЛ
(Ledil) Линзы для осветительных светодиодов в сборе Assembly square 21.6x21.6mm(D) — 1 неделя —
ЮЛ
(AOS) 5111 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 1339 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 10039 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 7066 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 4279 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 4066 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 1066 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 3966 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 5066 шт 2 недели —
ЮЛ
(AOS) 1434 шт 2 недели —
ЮЛ
(STMicroelectronics) 5758 шт 2 недели —
ЮЛ
(Nuvoton Technology) 623 шт 2 недели —
ЮЛ
(Nuvoton Technology) 701 шт 2 недели —
ЮЛ
(Nuvoton Technology) 87 шт 2 недели —
ЮЛ
(Nuvoton Technology) 366 шт 2 недели —
ЮЛ
(WINBOND) 9621 шт 2 недели —
ЮЛ
(WINBOND) 566 шт 2 недели —
ЮЛ
(WINBOND) 2506 шт 2 недели —
ЮЛ
(WINBOND) 1946 шт 2 недели —
ЮЛ
(WINBOND) 5297 шт 2 недели —
ЮЛ
(Nuvoton Technology) 3826 шт 2 недели —
ЮЛ
(WINBOND) 2163 шт 2 недели —
ЮЛ
1000 шт — —
ЮЛ
1000 шт — —
ЮЛ
1000 шт — —
ЮЛ
1000 шт — —
ЮЛ
1000 шт — —
To top

Сообщение для разработчиков

Отправить
Сообщение успешно отправлено. Спасибо за обратную связь.