|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=8мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=8*А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=8,5мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=700В; Iс=8,5мА; RDS(ON)=600(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=700В; Iи=8,5*А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=60В; Iс=90мА; RDS(ON)=2,5(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=60В; Iи=90А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=60В; Iс=72,5мА; RDS(ON)=3,3(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=60В; Iи=72,5А
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=80В; Iс=80мА; RDS(ON)=3(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=50мА; RDS(ON)=6,5(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=100В; Iс=41мА; RDS(ON)=8,2(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=100В; Iи=41А; R=10,7мОм (при 4,5V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=900В; Iс=6мА; RDS(ON)=2200(Ом) (max при VGS=10V)
|
—
|
3 недели
|
—
|
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=900В; Iи=6А
|
—
|
3 недели
|
—
|
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?