Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
(Infineon) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 34.6А 313Вт | — | 1 неделя | 692.41 руб. | ||
(ST) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба | — | 1 неделя | 415.69 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
Транзистор | — | заказ | — |
ЮЛ+ФЛ
|
(INFINEON) MOSFET транзистор PG-TO247-3 | — | 160 шт |
1 шт: 631.13 руб. 9 шт: 599.03 руб. 18 шт: 572.97 руб. 30 шт: 549.17 руб. 90+ шт: 530.63 руб.
|
|
(INFINEON) Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 21,6А, 313Вт, PG-TO247-3 | — | 8 шт, 7 недель | 1 693.19 руб. | ||
(STMicroelectronics) Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 17А, 40Вт | — | 300 шт, 6 недель |
50 шт: 618.53 руб. 100 шт: 598.05 руб. 500+ шт: 544.68 руб.
|
||
(STMicroelectronics) Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 17А, 210Вт, TO247 | — | 90 шт |
1 шт: 376.23 руб. 7 шт: 353.31 руб. 13 шт: 334.50 руб. 30 шт: 317.75 руб. 60+ шт: 301.62 руб.
|
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iи=35А; R=98(Ом) | — | 3 недели | — | ||
Стойка шестигранная с внешними резьбами; M5x0,8; SW=6,0мм; L=35,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — | ||
Стойка шестигранная с внутренней и наружной резьбами; M5x0,8; SW=6,0мм; L=35,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — | ||
Стойка шестигранная с внутренними резьбами; SW=6,0мм; L=35,0мм; латунь никелированная; L2=10,0мм | — | 3 недели | — | ||
Стойка шестигранная с внешними резьбами; M3x0,5; M4x0,7; SW=6,0мм; L=35,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 47 шт | — | 825 руб. |
(INF) Транзистор полевой Nканальный 650В 34.6А 313Вт | — | 160 шт, 1 неделя |
1 шт: 846 руб. 5 шт: 804 руб. 10+ шт: 762 руб.
|
||
(STM) Транзистор полевой MOSFET Nканальный 600В 28A 3Pin3Tab TO247 туба | — | 90 шт, 1 неделя |
1 шт: 592.80 руб. 5 шт: 564 руб. 10+ шт: 534 руб.
|
||
(Китай) Транзистор SPW35N60C3 TO247 Infineon NMOSFETCoolMOS650V34.6A0.1R313W | — | 580 шт, 1 неделя |
1 шт: 518.40 руб. 5 шт: 493.20 руб. 10+ шт: 466.80 руб.
|
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 158 шт | заказ | 996.52 руб. | ||
(Infineon Technologies) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 96 шт | заказ | 1 820.23 руб. | ||
(Infineon Technologies) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 240 шт | заказ | 1 823.59 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 50-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 981.82 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 25-99 шт. Опт: от 100 шт. | 40 шт | заказ | 890.35 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 404 шт | заказ | 983 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 290 шт | заказ | 891.66 руб. | ||
(Vishay Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 080 руб. | ||
(Vishay Siliconix) / М.опт: 50-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 016.89 руб. | ||
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 947 шт | заказ | 875.93 руб. | ||
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 21 шт | заказ | 970.61 руб. | ||
(Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 180 шт | заказ | 1 007.17 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 1013 шт | заказ | 895.11 руб. | ||
(Vishay Siliconix) / М.опт: 50-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 1 036.17 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(onsemi) MOSFET N-CH 600V 35A TO3PN | 12213 шт | 1 неделя | 972 руб. | |
(Infineon Technologies) | 126 шт | 1 неделя | 2 164 руб. | ||
(Infineon Technologies) Транзистор: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 | 131 шт | 1 неделя | 2 372 руб. | ||
(Infineon Technologies) | 115 шт | 1 неделя | 2 414 руб. | ||
(Infineon Technologies) MOSFET N-CH 600V 34.1A TO247-3 | 232 шт | 1 неделя | 2 521 руб. | ||
(STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | 584 шт | 1 неделя | 1 277 руб. | ||
(STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP | 920 шт | 1 неделя | 996 руб. | ||
(STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 28A TO220 | 988 шт | 1 неделя | 1 147 руб. | ||
(STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 28A TO247 | 27 шт | 1 неделя | 1 781 руб. | ||
(Littelfuse Inc.) MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD | 359 шт | 1 неделя | 1 934 руб. | ||
(onsemi) Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247 | 90 шт | 1 неделя | 1 329 руб. | ||
(Vishay Siliconix) MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK | 93 шт | 1 неделя | 1 658 руб. | ||
(Vishay Semiconductors) MOSFET N-CH 600V 32A TO220 | 877 шт | 1 неделя | 1 398 руб. | ||
(Vishay Siliconix) N-CHANNEL 600V | 131 шт | 1 неделя | 1 589 руб. | ||
(Vishay Siliconix) MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB | 728 шт | 1 неделя | 1 636 руб. |
(ON Semiconductor) | — | заказ | 602.09 руб. | ||
(On Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 1 521.18 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | 1 464.57 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 1 556.17 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | — | заказ | 1 308.13 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 732.80 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 738.98 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 738.98 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 695.75 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 818.23 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 760.59 руб. | ||
— | заказ | 1 174.33 руб. | |||
— | заказ | 415.80 руб. | |||
— | заказ | 1 053.92 руб. | |||
— | заказ | 1 525.30 руб. | |||
(Littelfuse) | — | заказ | — | ||
(On Semiconductor) | — | заказ | 589.74 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) | — | заказ | 1 018.92 руб. | ||
(Vishay) | — | заказ | 924.24 руб. | ||
(Vishay) | — | заказ | 597.97 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) | — | заказ | 959.23 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) | — | заказ | 1 063.18 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) | — | заказ | 1 038.48 руб. | ||
(Vishay) | — | заказ | 670.02 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) | — | заказ | 1 003.48 руб. |
(INFINEON) | — | заказ | 4.61 руб. |
400 шт | — | 937.50 руб. | |||
(INF) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 30. Вес брутто - 8.25 г. Корпус - TO-247. Описание - MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube. | 160 шт | — | 704.87 руб. | ||
40 шт | — | 2 150 руб. | |||
(STM) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 30. Вес брутто - 7.6 г. Корпус - TO-247. Описание - MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube. | 90 шт | — | 420.19 руб. |
(Fairchild) аЁбвал л (MOSFET) | — | заказ | — | ||
(INF) Cool MOS Power 650V 34.6A 0,1 313в | — | заказ | — | ||
(INFIN) | — | заказ | — |
(Eaton) | — | 8 недель | — |
(FAIR) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — |
(QJE) | 1 шт | 3 недели | 7 967 руб. | ||
(INFINEON) | — | 3 недели | 717 руб. | ||
(OSRAM) | 600 шт | 3 недели | 29 руб. | ||
(Geehy) | 250 шт | 3 недели | 117 руб. | ||
4 шт | 3 недели | 2 376 руб. |
(Fairchild Semiconductor) | 5491 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 9477 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 82 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 9834 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 5706 шт | 2 недели | — | ||
(STMicroelectronics) | 2559 шт | 2 недели | — | ||
(Vishay) | 319 шт | 2 недели | — |
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 559.80 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 490.50 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 202.50 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 793.80 руб. | ||
(Infineon Technologies) | — | заказ | 473.40 руб. | ||
(IXYS) | — | заказ | 670.50 руб. | ||
(IXYS) | — | заказ | — | ||
(IXYS) | — | заказ | 729.90 руб. |
(Infineon) | — | 51 неделя | 1 368.12 руб. | ||
(Infineon) | — | 7 недель | 1 201.55 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 631.14 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 616 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 595.35 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 595.67 руб. | ||
(STM) | — | 7 недель | 748.62 руб. | ||
(Littelfuse) | — | 77 недель | 1 549.52 руб. | ||
(Vishay) | — | 32 недели | 672.18 руб. | ||
(Vishay) | — | 32 недели | 656.85 руб. | ||
(Vishay) | — | 32 недели | 711.31 руб. | ||
(Vishay) | — | 32 недели | 687.79 руб. | ||
(Vishay) | — | 32 недели | 655.39 руб. |
(Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 35A, 600V SuperFET | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Channel SuperFET | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | — | 1 неделя | — | ||
(Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
(INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power МОП-транзисторs in TO-220FP package | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
(IXYS) МОП-транзистор 35 Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
(ON Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/35A FAST IGBT FSII T | — | 1 неделя | — | ||
(Vishay / Siliconix) МОП-транзистор N-Ch 650V Vds 22nC Qgs | — | 1 неделя | — |
19 шт | — | — | |||
10 шт | — | — | |||
16 шт | — | — | |||
17 шт | — | — | |||
7 шт | — | — | |||
13 шт | — | — | |||
12 шт | — | — | |||
19 шт | — | — | |||
17 шт | — | — | |||
15 шт | — | — | |||
61 шт | — | 1 042.73 руб. | |||
150 шт | — | — | |||
22 шт | — | — | |||
21 шт | — | — | |||
16 шт | — | — | |||
20 шт | — | — | |||
19 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
155- SPW35N60C3
- SPW35N60C3FKSA1
- STW35N60DM2
- SPW35N60CFD
- IXKH35N60C5
- FCH35N60
- STP35N60DM2
- IXDR35N60BD1
- SIHP35N60EF-GE3
- SIHB35N60E-GE3
- FCA35N60
- STF35N60DM2
- SIHF35N60EF-GE3
- IXDH35N60BD1
- STB35N60DM2
- SPW35N60CFDFKSA1
- SIHG35N60EF-GE3
- IXDP35N60B
- NGTB35N60FL2WG
- SIHB35N60EF-GE3
- IXDH35N60B
- SIHP35N60E-GE3
- STP35N60M2-EP
- FCH35N60, аЁбва, N- 600 35 [TO-247]
- FCH35N60C3
- SIHG35N60E-GE3
- FMW35N60S1FD
- FMH35N60S1FD
- FGW35N60H
- PW9135N6000EBM3U
- SPW35N60C3 Infineon
- FGW35N60HC
- PCHNN3-4-35N (6.0)
- FMY35N60ESF
- SIHP35N60E-BE3
- FCH35N60 (TO-247)
- SIHF35N60E-GE3
- SIHP35N60E
- Транзистор SPW35N60C3 TO-247 Infineon N-MOSFET;CoolMOS;650V,34.6A,0.1R,313W
- SPW35N60C3 TO247 Infineon MOSFET N-CH 650V 34.6A
- FMV35N60S1
- FMH35N60S1
- FMW35N60S1
- STW35N60M2-EP
- SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]
- FCH35N60, Транзистор, N-канал 600В 35А [TO-247]
- PCHSN5-35N (6.0)
- транз 35N60BD1 /N /250/80 /TO-247AD /
- FMV35N60S1FD
- FGW35N60HD
- SPW35N60CFD TO247
- PCHNN5-35N (6.0)
- PCHSS5-35N (6.0)
- 35N60C3
![To top](/media/i/to_top.png)
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?