| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| N-Channel MOSFET 12A 600V 51W | — | — | 101 руб. | ||
| N-Channel MOSFET 12A 600V 51W | — | — | 84 руб. |
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 30 шт | — | 38 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 116 шт | — | 90 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 26 шт | — | 188 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 91 шт | — | 105 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 13 шт | — | 135 руб. |
| (FSC) | 13 шт | — | 42 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
Транзистор | — | заказ | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(ONSEMI) Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK | — | 899 шт, 6 недель |
1 шт: 79.77 руб. 10 шт: 64.42 руб. 30 шт: 56.69 руб. 100 шт: 50.72 руб. 500 шт: 44.97 руб. 1000+ шт: 41.34 руб.
|
| (ON Semi) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A | — | 1 неделя | 54.13 руб. |
| (ETC) | — | 50 шт, 1 неделя |
1 шт: 70.80 руб. 5 шт: 68.40 руб. 10+ шт: 64.80 руб.
|
||
| (ONS) Транзистор полевой Nканальный 600В 2A | — | 446 шт, 1 неделя |
1 шт: 96 руб. 5 шт: 91.20 руб. 10+ шт: 86.40 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор полевой Nканальный 600В 2A | — | 4 шт, 1 неделя |
1 шт: 162 руб. 5 шт: 154.80 руб. 10+ шт: 146.40 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор FQD2N60CTM DPAKTO252 ON Semiconductor NMOSFETVMOS600V1.9A4.7R44W | — | 802 шт, 1 неделя |
1 шт: 93.60 руб. 5 шт: 90 руб. 10+ шт: 85.20 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор FQU2N60C IPAKTO251 FAIRCHILD NMOSFETQFET600V1.9A4.7R44W | — | 553 шт, 1 неделя |
1 шт: 45.60 руб. 5 шт: 44.40 руб. 10+ шт: 42 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор STP2N60C TO220 STMicroelectronics NMOSFETVMOS600V2.9A3.5R70W | — | 552 шт, 1 неделя |
1 шт: 51.60 руб. 5 шт: 49.20 руб. 10+ шт: 46.80 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор SPP02N60C3 TO220 Infineon NMOSFETVMOS650V1.8A3R25W | — | 554 шт, 1 неделя |
1 шт: 96 руб. 5 шт: 91.20 руб. 10+ шт: 86.40 руб.
|
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 54.79 руб. | ||
| (onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 227 шт | заказ | 186.42 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 168.01 руб. | ||
| (onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 440 шт | заказ | 551.90 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 51.56 руб. | ||
| (onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 154 шт | заказ | 196.28 руб. | ||
| (Infineon Technologies) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 1495 шт | заказ | 218.09 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 148.62 руб. |
| Транзистор полевой с изолированным затвором 600V 2A N-канал MOSFET | 989 шт | — |
1 шт: 52.80 руб. 1000 шт: 48.48 руб. 2000+ шт: 45.19 руб.
|
||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=0А | — | 3 недели | — |
| (ST) ТО-220 50 | 480 шт | — | 20 руб. |
| (FAIR) TO252 DPAK | 100 шт | — | 31 руб. | ||
| (FAIR) TO220 | 140 шт | — | 126 руб. | ||
| (FAIR) TO220 | 10 шт | — | 203 руб. | ||
| (FAIR) Транзистор TO220F | 10 шт | — | 94 руб. | ||
| (FAIR) TO220F | 100 шт | — | 47 руб. | ||
| (FAIR) MOSFET_N TO220F | 2 шт | — | 68 руб. | ||
| (FAIR) TO220F | 10 шт | — | 126 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(onsemi) MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | 2344 шт | 1 неделя | 292 руб. | |
| (Fairchild Semiconductor Corp) MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 607 шт | 1 неделя | 2 685 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK | 2882 шт | 1 неделя | 251 руб. | ||
| (onsemi) MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 | 869 шт | 1 неделя | 333 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | 10020 шт | 1 неделя | 138 руб. | ||
| (Infineon Technologies) MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3 | 2500 шт | 1 неделя | 147 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) N-CHANNEL POWER MOSFET | 1488 шт | 1 неделя | 481 руб. | ||
| (Infineon Technologies) LOW POWER_LEGACY | 48500 шт | 1 неделя | 110 руб. | ||
| (Infineon Technologies) MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3 | 975 шт | 1 неделя | 99 руб. | ||
| (Infineon Technologies) LOW POWER_LEGACY | 25500 шт | 1 неделя | 99 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor Corp) | 44 шт | 1 неделя | 1 380 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL | 236 шт | 1 неделя | 1 092 руб. | ||
| (onsemi) Транзистор: IGBT 600V 24A TO220-3 | 1600 шт | 1 неделя | 338 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT | 2400 шт | 1 неделя | 290 руб. | ||
| (IXYS) Транзистор: IGBT 600V 75A 540W TO247AD | 30 шт | 1 неделя | 1 690 руб. | ||
| (IXYS) Транзистор: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B | 300 шт | 1 неделя | 6 111 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | 899 шт | 1 неделя | 354 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT | 2637 шт | 1 неделя | 306 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) Транзистор: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL | 565 шт | 1 неделя | 483 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT | 1962 шт | 1 неделя | 301 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | 2400 шт | 1 неделя | 363 руб. |
| (FAIRCHILD) Транзистор FQP2N60C | — | заказ | — |
| (On Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (On Semiconductor) | — | заказ | 93.11 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 117.56 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 122.26 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (Taiwan Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (On Semiconductor) | — | заказ | 136.37 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | 60.19 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 156.12 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 304.72 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (On Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 513.50 руб. | ||
| — | заказ | — | |||
| — | заказ | 1 255.55 руб. | |||
| (IXYS) | — | заказ | 742.98 руб. | ||
| — | заказ | 3 632.15 руб. | |||
| (LITTELFUSE) | — | заказ | 3 484.50 руб. | ||
| — | заказ | 1 854.64 руб. | |||
| — | заказ | 1 780.34 руб. | |||
| (IXYS) | — | заказ | 1 259.31 руб. | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — |
| (ST) упак.: ТО-220 доп. инф.: 50 | 480 шт | — |
1 шт: 36 руб. 100 шт: 33.60 руб. 500+ шт: 31.20 руб.
|
| 13 шт | — | 55.90 руб. | |||
| 1000 шт | — | 275 руб. | |||
| б/г | 500 шт | — | 33.54 руб. | ||
| (ONS) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 50. Вес брутто - 3.1 г. Корпус - TO-220F. Описание - MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F. | 446 шт | — | 53.16 руб. | ||
| 3 шт | — | 86.10 руб. | |||
| 200 шт | — | 412.50 руб. |
| 360 шт | — | 33 руб. | |||
| 6 шт | — | 150.96 руб. | |||
| 10 шт | — | 118.44 руб. | |||
| 3 шт | — | 261.36 руб. |
| 1279 | 38 шт | 1 неделя | 175 руб. |
| (FAIR) TO220F | 339 шт | — | 130 руб. | ||
| (FAIR) TO220F | 1 шт | — | 59 руб. | ||
| (FAIR) TO220F | 49 шт | — | 65 руб. |
| (FSC) MOSFET N- 600/1.9/4.7 /44в, бвал Ё, баЁп QFET? | — | заказ | — | ||
| (Fairchild) аЁбвал л (MOSFET) | — | заказ | — | ||
| (FSC) MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK | — | заказ | — | ||
| (FSC1) N-MOS+Dяя600V, 12A, 225W | — | заказ | — | ||
| (FSC) MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F | — | заказ | — | ||
| (INF) MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | — | заказ | — | ||
| (INFIN) | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600Vяя3A | — | заказ | — | ||
| (INF) MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB | — | заказ | — | ||
| (INFIN) | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 6,5A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (FAIR) | — | заказ | — | ||
| (FSC1) N-MOS+Dяя600V, 12A, 51W | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ONSemiconductor) ваЁбвал л Ёавл | — | заказ | — | ||
| (FSC) IGBT 600V 24A 104W TO220AB | — | заказ | — | ||
| (ONSemiconductor) ваЁбвал л Ёавл | — | заказ | — | ||
| (Fairchild) аЁбвал л (MOSFET) | — | заказ | — |
| (FAIRCHILD) | 30 шт | 1 неделя | 194 руб. | ||
| (Fairchild) | 3000 шт | 1 неделя | 220 руб. | ||
| (INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
| (FSC) | 30 шт | 1 неделя | 176 руб. |
| 497 шт | — | 36.48 руб. |
| (FAIR) | — | заказ | 0.76 руб. |
| 5 шт | — | 45.50 руб. | |||
| 6 шт | — | 55.90 руб. | |||
| 1 шт | — | 84.50 руб. |
| (ONS) | — | 7 недель | 207.46 руб. | ||
| (ONS) | — | заказ | 239.43 руб. | ||
| (ONS) | — | заказ | 39.24 руб. | ||
| (Infineon) | — | 39 недель | 88.98 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 417.73 руб. | ||
| (Littelfuse) | — | 53 недели | 5 105.59 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 391.91 руб. |
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 71.73 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 32.22 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 114.30 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 162 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 88.74 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 240.30 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 279 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 155.70 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 66.60 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 88.47 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 150.30 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 174.60 руб. | ||
| (Infineon Technologies) | — | заказ | 202.50 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 59.31 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 396 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 239.40 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | — | ||
| (IXYS) | — | заказ | 504.90 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | 2 202.30 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | 1 110.60 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | 1 065.60 руб. | ||
| (Rochester Electronics) | — | заказ | 181.80 руб. |
| (A&O) | 3000 шт | 3 недели | 13 руб. | ||
| (ONS) | 50 шт | 3 недели | 48 руб. | ||
| (FAIR) | — | 3 недели | 95 руб. | ||
| (STM) | 30 шт | 3 недели | 52 руб. | ||
| 12 шт | 3 недели | 120 руб. | |||
| 10 шт | 3 недели | 152 руб. | |||
| 48 шт | 3 недели | 300 руб. |
| (Fairchild Semiconductor) | 306 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 166 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 2156 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1106 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 7815 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1594 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 110 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 6106 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 2405 шт | 2 недели | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | 678 шт | 2 недели | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | 5066 шт | 2 недели | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | 8544 шт | 2 недели | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | 8702 шт | 2 недели | — | ||
| (VBsemi) | 8066 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 236 шт | 2 недели | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | 7594 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 87 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 516 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 79 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 1066 шт | 2 недели | — | ||
| (IXYS) | 125 шт | 2 недели | — | ||
| (IXYS) | 1455 шт | 2 недели | — | ||
| (IXYS) | 1455 шт | 2 недели | — | ||
| (IXYS) | 1455 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 866 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 78 шт | 2 недели | — |
| (FSC) | 13 шт | 1 неделя | 114.74 руб. | ||
| (ST) | 536 шт | 1 неделя | 25.39 руб. | ||
| (NO NAME) | 500 шт | 1 неделя | 45.14 руб. |
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор N-CH/600V/2A/A.QFET | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V 1.9A NCH МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Channel Advance Q-FET | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (SILAN) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Channel Advance Q-FET | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FSC) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 600V 1.8A DPAK-2 CoolMOS C3 | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 600V 1.8A TO220-3 CoolMOS C3 | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 650V 1.8A TO220-3 | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 650V 1.8A IPAK-3 CoolMOS C3 | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор N-Ch 600V 1.8A IPAK-3 CoolMOS C3 | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay) | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 600V 2.7 Rds | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор LOW POWER_LEGACY | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (INFINEON) | — | 1 неделя | — | ||
| (Infineon Technologies) МОП-транзистор CoolMOS | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — |
| (ST Microelectronics) | — | 127 недель | 30 руб. |
| 6000 шт | — | — | |||
| 150 шт | — | — | |||
| 445 шт | — | — | |||
| 12 шт | — | — | |||
| 16 шт | — | — | |||
| 14 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 19 шт | — | — | |||
| 20 шт | — | — | |||
| 13 шт | — | — | |||
| 10 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 13 шт | — | — | |||
| 15 шт | — | — | |||
| 11 шт | — | — | |||
| 18 шт | — | — | |||
| 23 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 13 шт | — | — | |||
| 19 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
295- FQPF2N60C
- FQPF12N60C
- FQP12N60C
- FQP2N60C
- FQD2N60CTM
- HGTP12N60C3D
- SPP02N60C3
- SPD02N60C3
- SPU02N60C3
- STP2N60C MOSFET N-CH 600V 2A
- FQU2N60CTU
- IXGN72N60C3H1
- SPS02N60C3
- FQD2N60CTF
- IXGX72N60C3H1
- IXGH72N60C3
- SPN02N60C3
- HGTG12N60C3D
- IXGR72N60C3D1
- SPP02N60C3XKSA1
- HGT1S12N60C3DS
- FQD2N60CTM Транзистор
- IXGH32N60C
- SIPC02N60C3
- HGTP12N60C3
- FQPF12N60CT
- FQI12N60CTU
- IXGA12N60CD1
- SPB02N60C3
- FQB12N60CTM
- FPQF12N60C (ST-STF12NK60Z)
- FPQF12N60C (ST-STP10NK60ZFP)
- SPD02N60C3T
- FPQF12N60C (ST-STF9NM60N)
- FQPF2N60C TO220F
- SPN02N60C3 E6433
- FQPF12N60C TO-220F
- IXGH32N60CD1
- FDPF12N60NZ (=FQPF12N60C) , TO220F
- SPD02N60C3 (ST-STD3NK60ZT4)
- FPQF12N60C (ST-STP10NK60Z)
- IXGP12N60CD1
- FQPF12N60C (ST-STF12NK60Z)
- SPU02N60C3BKMA1
- FQPF12N60C TO220F
- IXGR32N60CD1
- IXGH12N60CD1
- транз 2N60C /N /23 /TO-220F /
- 12N60C (FQPF12N60C) TO220F ON
- FQD2N60C TO252 DPAK
- SPB02N60C3ATMA1
- 12N60C (IXGP12N60C) TO220 IXYS БЕЗ ДИОДА!!!!
- FQPF2N60C (TO-220F)
- FQU2N60CTU-SN00217
- FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
- HGTP12N60C3 (TO-220)
- IXGR32N60C
- SPD02N60C3BTMA1
- IRFP22N60C3
- 12N60C FQPF12N60C
- IRFS22N60C3
- HGTP12N60C3D G12N60C3D
- SPB02N60C2
- HGTP12N60C3R
- SIPC02N60C3NJ
- FQP12N60C FAIR
- IXGP12N60C
- SPP02N60C3 TO-220
- FQU2N60C
- FQP12N60C TO220 Fair
- 12N60C
- IRFIB22N60C3
- SIPC02N60C3X1SA1
- SPP02N60C3HKSA1
- SVF2N60CF TO-220F
- 2N60C
- IRFP22N60C3PBF
- 12N60C FQP12N60C
- IXGR12N60C
- FQD2N60C TO252 Fair
- SPS02N60C3BKMA1
- FQD2N60CTM- N-канал, D2PАK, 1.14А, 600В Транзистор полевой
- FQB12N60C
- 2N60(CS2N60)TO-220 ETC транзистор
- FQP12N60C TO220 транзисторы
- FQPF12N60C TO220F Fair
- FQD2N60CTM_WS
- FDPF12N60NZ, аЁбва N- 600 12 (=FQPF12N60C), [TO-220F]
- FQD2N60CS
- IXGA12N60C
- HGTG12N60C3D_NL
- HGT1S12N60C3R
- FDP12N60C
- FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F]
- FQD2N60CTM-WS
- Транзистор SPP02N60C3 TO-220 Infineon N-MOSFET;V-MOS;650V,1.8A,3R,25W
- FQPF12N60C TO220F
- FQD2N60CTF-NL
- TSM2N60CP RO
- HGT1S12N60C3
- Транзистор STP2N60C TO-220 STMicroelectronics N-MOSFET;V-MOS;600V,2.9A,3.5R,70W
- SPN02N60C3 N-CH 600V 0,4A SOT-223-3
- Транзистор FQD2N60CTM DPAK(TO252) ON Semiconductor N-MOSFET;V-MOS;600V,1.9A,4.7R,44W
- FQPF12N60C TO220F Fair
- IXGT32N60CD1
- TSM2N60CH C5
- IXGT32N60C
- Транзистор FQU2N60C IPAK(TO-251) FAIRCHILD N-MOSFET;QFET;600V,1.9A,4.7R,44W
- FQP2N60C TO220 Fair
- IXGR72N60C3
- FQPF12N60C FAIR
- 12N60C (FQP12N60C) TO220 ON
- HGT1S12N60C3S9AR4501
- транз 2N60C /N /54 /TO-220 /
- транз 12N60C /N /51 /TO-220F /[K12A60D]
- FQPF12N60C TO220F транзисторы
- IXGK72N60C3H1
- HGT1S12N60C3D
- IXGH12N60C
- FQP2N60C, аЁбва, N- 600 2 [TO-220]
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?