| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=2мА; RDS(ON)=4700(Ом) (max при VGS=10V) | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; P=57Вт; Iи=2А; R=4,7(Ом) (при 10V); Tраб. -55...+150°C | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(LITTELFUSE) Транзистор 600V 75A 540W TO247AD | — | 30 шт, 6 недель |
1 шт: 2 579.38 руб. 5 шт: 2 037.58 руб. 30 шт: 1 675.87 руб. 60+ шт: 1 498.34 руб.
|
| (UTC) | — | 1267 шт, 1 неделя |
1 шт: 72 руб. 5 шт: 68.40 руб. 10+ шт: 64.80 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор HGTG12N60A4 TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTSMPS Series600V54A96A2.0V17ns96ns167W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания | — | 1051 шт, 1 неделя |
1 шт: 535.20 руб. 5 шт: 508.80 руб. 10+ шт: 482.40 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор HGTG12N60A4D TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTDiSMPS Series75kHz600V54A96A2.0V17ns96ns167W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания | — | 1052 шт, 1 неделя |
1 шт: 362.40 руб. 5 шт: 344.40 руб. 10+ шт: 326.40 руб.
|
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 157.99 руб. | ||
| (IXYS) / М.опт: 10-29 шт. Опт: от 30 шт. | 26 шт | заказ | 2 214.48 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-49 шт. Опт: от 50 шт. | 644 шт | заказ | 514.21 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 1615 шт | заказ | 541.81 руб. | ||
| (Vishay Semiconductors) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 1000 шт | заказ | 580.46 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 954 шт | заказ | 571.35 руб. |
| (FSC) Транзистор TO-247 | 10 шт | — | 337 руб. |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Fairchild Semiconductor) N-CHANNEL POWER MOSFET | 9000 шт | 1 неделя | 86 руб. | |
| (Infineon Technologies) Транзистор: IGBT 600V 6A 30W TO263-3 | 55000 шт | 1 неделя | 165 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) Транзистор: UFS SERIES N-CH IGBT | 900 шт | 1 неделя | 167 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) Транзистор: IGBT 600V 54A TO220-3 | 67276 шт | 1 неделя | 423 руб. | ||
| (IXYS) Транзистор: IGBT 600V 75A 540W TO247 | 255 шт | 1 неделя | 2 033 руб. | ||
| (IXYS) Транзистор: IGBT 600V 75A 540W TO268 | 28 шт | 1 неделя | 2 638 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC | 315 шт | 1 неделя | 961 руб. | ||
| (Vishay Siliconix) N-CHANNEL 600V | 1944 шт | 1 неделя | 875 руб. | ||
| (onsemi) Транзистор: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2 | 4000 шт | 1 неделя | 693 руб. |
| (Alpha and Omega Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (Alpha and Omega Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (Richtek Technology Corporation) | — | заказ | — | ||
| (Infineon Technologies AG) | — | заказ | — | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (On Semiconductor) | — | заказ | 457.53 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
| (On Semiconductor) | — | заказ | 413 руб. | ||
| — | заказ | 1 379.69 руб. | |||
| (LITTELFUSE) | — | заказ | 1 009.21 руб. | ||
| — | заказ | 1 986.02 руб. | |||
| — | заказ | 3 271.57 руб. | |||
| (Littelfuse) | — | заказ | — | ||
| (IXYS) | — | заказ | 1 390.82 руб. | ||
| (LITTELFUSE) | — | заказ | 1 132.70 руб. | ||
| (LITTELFUSE) | — | заказ | 1 132.70 руб. | ||
| — | заказ | 1 934.40 руб. | |||
| (Vishay / Siliconix) | — | заказ | 542.56 руб. | ||
| (Vishay) | — | заказ | 529.40 руб. | ||
| (Vishay) | — | заказ | 586.09 руб. | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay) | — | заказ | — | ||
| (Vishay / Siliconix) | — | заказ | 626.58 руб. | ||
| (Vishay) | — | заказ | 667.07 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) | — | заказ | 559.77 руб. | ||
| (Vishay) | — | заказ | 590.14 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | 446.40 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | — | заказ | — |
| 1 шт | 7 недель | 39 451.41 руб. | |||
| 400 шт | — | 375 руб. |
| 1 шт | — | 234 руб. | |||
| 10 шт | — | 234 руб. |
| (FAIR) TO220F | 146 шт | — | 53 руб. | ||
| (FSC) TO-247 | 50 шт | — | 352 руб. |
| (FSC) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIR) | — | 1 неделя | — |
| (FAIR) | — | заказ | — | ||
| (FSC) IGB0/54/167в/Uн б.=2.0, бвал Hyperfast Ё, >100ж ,trise/fall=8/18б | — | заказ | — | ||
| (Fairchild) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (FSC) IGBT N- 600/54/Uн(б)=2, бвал Hyperfast Ё, 200 ж | — | заказ | — |
| (ONS) | 50 шт | 3 недели | 351 руб. | ||
| 10 шт | 3 недели | 75 руб. |
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 117 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 101.70 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 61.74 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 273.60 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | 703.80 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | 1 382.40 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | 1 188 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | — | ||
| (IXYS) | — | заказ | 999.90 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 189 руб. |
| (ALPHAO) | — | 31 неделя | 45.64 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 70.64 руб. | ||
| (IXYS) | — | 6 недель | 1 282.14 руб. | ||
| (IXYS) | — | 6 недель | 1 433.76 руб. | ||
| (Vishay) | — | 7 недель | 488.13 руб. | ||
| (Vishay) | — | 34 недели | 439.04 руб. | ||
| (Vishay) | — | 32 недели | 455.16 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 689.95 руб. |
| (Intersil) | 91 шт | 2 недели | — | ||
| (Altek) | 2496 шт | 2 недели | — | ||
| (Altek) | 1266 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1576 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 2876 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 117 шт | 2 недели | — | ||
| (Toshiba) | 7566 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 7406 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
| (VBsemi) | 116 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 3041 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 293 шт | 2 недели | — |
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 600V 1.35 Rds | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay / Siliconix) МОП-транзистор N-Ch 650V Vds 12nC Qgs | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — |
| 18 шт | — | — | |||
| 50 шт | — | — | |||
| 7 шт | — | — | |||
| 17 шт | — | — | |||
| 22 шт | — | — | |||
| 16 шт | — | — | |||
| 14 шт | — | — | |||
| 18 шт | — | — | |||
| 15 шт | — | — | |||
| 19 шт | — | — | |||
| 9 шт | — | — | |||
| 1000 шт | — | — | |||
| 750 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
127- HGTG12N60A4D
- HGTP12N60A4D
- IXGH72N60A3
- IXGT72N60A3
- HGTG12N60A4
- HGT1S12N60A4DS
- HGTP12N60A4
- IXGX72N60A3H1
- IXGR72N60A3H1
- IXGN72N60A3
- SIHA22N60AE-E3
- IXGK72N60A3H1
- HGT1S12N60A4S9A
- SIHG22N60AE-GE3
- SIHB22N60AE-GE3
- SIHA22N60AEL-GE3
- IXGH32N60A
- SSP2N60A
- SIHA22N60AE-GE3
- SIHP22N60AEL-GE3
- AOD2N60A
- 2N60(ATE2N60) TO-220 UTC транзистор
- SKB02N60ATMA1
- AOI2N60A
- SIHB22N60AEGE3
- IXSN52N60AU1
- Транзистор HGTG12N60A4 TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
- HGTG12N60A4D, аЁбва IGBT 600 54 167в [TO-247]
- SIHP22N60AE-BE3
- FQD2N60A
- SIHG22N60AEL-GE3
- SIHP22N60AE-GE3
- Транзистор HGTG12N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,<75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
- SIHB22N60AEL-GE3
- 2N60A (C) plast
- 12N60A4
- CS2N60 A4H
- 12N60A4 (HGTG12N60A4) N815AB TO247
- HGT1S12N60A4S9A (TO-263/D2PAK)
- AOI2N60A (TO-251A)
- IXGR72N60A3
- HGTG12N60A4D (TO-247)
- TMD2N60AZ
- HGTG12N60A4 (TO-247)
- HGTP12N60A4D (TO-220)
- RM02N60A1GL-C0
- SSR2N60A
- FQU2N60A
- HGT1S12N60A4DS (TO-263/D2PAK)
- HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
- 12N60A4 (HGTG12N60A4) 1J26AC TO247
- IXGT72N60A3TRL
- IXGT72N60A3-TRL
- AOD2N60A (TO-252)
- CS2N60A23H
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?