Купить 2N50 у поставщиков
Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
Транзистор биполярный; NPN; Iк=20А; Uкэо=90В; hFE min.=20 (min); hFE max.=100 (min); F=60МГц; Pd=140mW | — | 3 недели | — | ||
Транзистор биполярный; PNP; Uкэ=-50В; Iк=-100мА; h21=150...500; F=40МГц | — | 3 недели | — | ||
Транзистор биполярный; PNP; Uкэ=-50В; Iк=-100мА; h21=250...800; F=40МГц | — | 3 недели | — | ||
Транзистор биполярный широкого применения; NPN; Uкэо=30В; Uкбо=35В; Iк=100мА (макс.); h21=300...900; Fгр=50МГц | — | 3 недели | — | ||
Транзистор биполярный широкого применения; NPN; Uкэ=25В; Iк=100мА; h21=400...1200; F=50МГц | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; P=250Вт; Iи=12А; R= | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; P=417Вт; Iи=22А; R=0,26(Ом) (при 10V); Tраб. -55...+150°C | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; P=208Вт; Iи=12А; R= | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=22А | — | 3 недели | — | ||
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=12мА; RDS(ON)=520(Ом) (max при VGS=10V) | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=12А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=11,5А; R=700мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=11,5А; R=650мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=10А; R=800мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=11,5А; R=650мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=22А; R=220мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=12А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=22А | — | 3 недели | — | ||
Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iс=12мА; RDS(ON)=520(Ом) (max при VGS=10V) | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=500В; Iи=12А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=11,5А; R=700мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=11,5А; R=520мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=11,5А; R=650мОм | — | 3 недели | — | ||
Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=500В; Iи=10А; R=800мОм | — | 3 недели | — | ||
Микросхема преобразователь мощности, высокоэффективный понижающий стабилизатор напряжения Simple Switcher® с функциями, 1 А; Uпит.=8…40В; Tраб. -40...+125°C | — | 3 недели | — | ||
переходник ВЧ 50 Ом | 10 шт | — |
1 шт: 672 руб. 10 шт: 545.56 руб. 20+ шт: 372.79 руб.
|
||
переходник ВЧ 50 Ом | — | 3 недели | — | ||
разъем ВЧ микрополосковый | — | 3 недели | — |
N-Channel 22A 500V 277W | — | — | 504 руб. |
(WAYON) Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 5.А code: R20 | — | 1 неделя | 6.04 руб. | ||
(FUJI) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 60Вт | — | 1 неделя | 126.22 руб. | ||
(Vishay) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 277Вт | — | 1 неделя | 490.85 руб. | ||
(Vishay) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 32А 460Вт, 0.135 Ом | — | 1 неделя | 673.31 руб. | ||
(TechStar Electronics Corp) ! Power-H112K-P12N-500 | — | 1 неделя | 621 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(SPTECH) Транзистор биполярный BJT TO-3 | — | 12 шт, 9 недель |
1 шт: 321.46 руб. 10 шт: 274.54 руб. 25 шт: 243.70 руб. 100+ шт: 204.47 руб.
|
|
(CDIL) Транзистор: NPN; биполярный; 150В; 20А; 140Вт; TO3 | 3 шт | — |
1 шт: 500 руб. 10 шт: 491.85 руб. 100 шт: 487.10 руб. 500 шт: 465.98 руб. 1000+ шт: 439.58 руб.
|
||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 625мВт; TO92 | — | 855 шт, 6 недель |
1 шт: 85.42 руб. 10 шт: 73.86 руб. 25 шт: 66.42 руб. 100 шт: 49.59 руб. 500+ шт: 42.60 руб.
|
||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 625мВт; TO92 | — | 4070 шт, 6 недель |
1 шт: 87.28 руб. 10 шт: 73.86 руб. 25 шт: 68.75 руб. 100 шт: 50.52 руб. 500+ шт: 44.05 руб.
|
||
(CDIL) Транзистор PNP, биполярный, 50В, 50мА, 625мВт, TO92, 2дБ | 263 шт | — |
1 шт: 18 руб. 10 шт: 7.94 руб. 100 шт: 7.04 руб. 500 шт: 6.05 руб. 1000+ шт: 5.32 руб.
|
||
(VBSEMI) TO-220 MOSFETs | — | 36 шт, 9 недель |
1 шт: 69.34 руб. 10 шт: 67.63 руб. 50 шт: 64.91 руб. 100+ шт: 61.81 руб.
|
||
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,6А, TO220 | — | 564 шт, 6 недель |
1 шт: 255.19 руб. 5 шт: 220.06 руб. 25 шт: 193.60 руб. 100 шт: 174.40 руб. 500+ шт: 150.24 руб.
|
||
(ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 15А, 417Вт, TO220 | — | 184 шт, 6 недель |
1 шт: 385.42 руб. 3 шт: 350.40 руб. 10 шт: 312.89 руб. 500 шт: 265.04 руб. 1000+ шт: 234.93 руб.
|
||
(ONSEMI) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 13,2А, 312,5Вт, TO220AB | — | 960 шт, 6 недель |
10 шт: 671.97 руб. 50 шт: 544.57 руб. 200 шт: 460.21 руб. 400+ шт: 410.58 руб.
|
||
(INFINEON) MOSFET транзистор | — | 195 шт, 6 недель |
30 шт: 1 402.21 руб. 60 шт: 1 268.82 руб. 150+ шт: 1 133.62 руб.
|
||
(STMicroelectronics) TO-220FP-3 MOSFETs ROHS | — | 4 шт, 9 недель |
1 шт: 391.49 руб. 10 шт: 381.83 руб. 30 шт: 371.86 руб. 100+ шт: 323.13 руб.
|
||
(Wayon) Транзисторы и сборки MOSFET TO220F | — | — |
1 шт: 95.81 руб. 14 шт: 91.03 руб. 78 шт: 79.85 руб. 327 шт: 75.86 руб. 1000+ шт: 73.46 руб.
|
||
(ONSEMI) Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 6,9А, 42Вт, TO220FP, UniFET™ | 4 шт | — |
1 шт: 380 руб. 10 шт: 330.22 руб. 100 шт: 285.46 руб. 500 шт: 249.29 руб. 1000+ шт: 225.52 руб.
|
||
(VISHAY) Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 22А, 277Вт, TO247AC | — | 144 шт |
1 шт: 445.04 руб. 6 шт: 418.58 руб. 11 шт: 396.85 руб. 25 шт: 377.46 руб. 50+ шт: 358.63 руб.
|
||
(VISHAY) Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 20А, 460Вт, TO247AC | — | 252 шт |
1 шт: 611.72 руб. 5 шт: 576.89 руб. 9 шт: 548.35 руб. 17 шт: 524.99 руб. 50+ шт: 495.87 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 22А, 350Вт, TO247-3 | — | 275 шт, 6 недель |
1 шт: 1 073.74 руб. 10 шт: 946.10 руб. 30 шт: 874.84 руб. 120 шт: 769.07 руб. 270 шт: 694.99 руб. 510+ шт: 645.95 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 42А, 830Вт, TO247-3 | — | — |
1 шт: 1 610.88 руб. 3 шт: 1 441.36 руб. 10 шт: 1 242.75 руб. 30+ шт: 1 030.25 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 52А, 960Вт, TO247-3 | — | 60 шт, 9 недель |
1 шт: 1 057.45 руб. 10 шт: 914.34 руб. 30 шт: 820.08 руб. 100+ шт: 716.22 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220-3 | — | — |
1 шт: 690.88 руб. 10 шт: 548.26 руб. 50 шт: 467.05 руб. 100 шт: 434.50 руб. 500 шт: 359.95 руб. 1000+ шт: 336.69 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO263 | — | — |
1 шт: 529.73 руб. 3 шт: 462.52 руб. 10 шт: 402.75 руб. 25+ шт: 348.72 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 62А, 800Вт, PLUS264™, 500нс | — | 11 шт, 6 недель |
1 шт: 12 232.07 руб. 3 шт: 10 727.35 руб. 10 шт: 9 329.61 руб. 25+ шт: 8 063.50 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220 | — | — |
1 шт: 564.92 руб. 3 шт: 506.23 руб. 10 шт: 446.65 руб. 50 шт: 397.64 руб. 250+ шт: 336.53 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор N-MOSFET, 500В, 22А, 350Вт, TO3P, 400нс | — | 143 шт, 6 недель |
1 шт: 1 053.88 руб. 10 шт: 876.01 руб. 30 шт: 806.77 руб. 120 шт: 716.06 руб. 270 шт: 656.72 руб. 510 шт: 603.82 руб. 1020+ шт: 533.07 руб.
|
||
(TEXAS INSTRUMENTS) Стабилизатор напряжения нерегулируемый, 5В, 1А, DIP8 | 1 шт | — |
1 шт: 940 руб. 10 шт: 932.83 руб. 100 шт: 923.82 руб. 500 шт: 883.76 руб. 1000+ шт: 833.69 руб.
|
||
(VIKING) Дроссель: thin film, SMD, 0402, 2,5нГн, 530мА, 280мОм, Q: 16, ±0,1нГн | — | 500 шт, 6 недель |
100 шт: 4 руб. 1000 шт: 2.69 руб. 10000+ шт: 1.74 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 132А, 1890Вт, PLUS264, 250нс | — | 5 шт, 9 недель |
1 шт: 3 478.89 руб. 10 шт: 3 298.32 руб. 25 шт: 2 991.20 руб. 100+ шт: 2 616 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 63А, 520Вт, ISOPLUS264™ | — | — |
1 шт: 5 835.26 руб. 3 шт: 5 220.50 руб. 10 шт: 4 507.33 руб. 25+ шт: 3 745.95 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор N-МОП, полевой, 500В 112A 1500Вт 0,039Ом SOT227B | — | 8 шт, 9 недель |
1 шт: 4 707.53 руб. 10+ шт: 4 193.81 руб.
|
||
(IXYS) Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 63А, Idm: 330А, 520Вт | — | 20 шт, 6 недель |
1 шт: 9 997.17 руб. 3 шт: 8 740.81 руб. 10 шт: 7 529.24 руб. 20+ шт: 6 596.57 руб.
|
1 шт | — | 46 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 94 шт | — | 75 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 29 шт | — | 150 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 37 шт | — | 94 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 155 шт | — | 30 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 3 шт | — | 19 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 63 шт | — | 600 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 20 шт | — | 362 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 16 шт | — | 432 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 31 шт | — | 630 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 29 шт | — | 375 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 21 шт | — | 63 руб. |
(Китай) | — | 8 шт, 1 неделя |
1 шт: 48 руб. 5 шт: 45.60 руб. 10+ шт: 43.20 руб.
|
||
(WAYON) Транзистор полевой MOSFET Nканальный напряжение стокисток 20В ток стока 5.А | — | 8642 шт, 1 неделя |
1 шт: 9.60 руб. 5 шт: 9.60 руб. 10+ шт: 9.60 руб.
|
||
(FUJI) Транзистор полевой Nканальный 500В 12А 60Вт | — | 150 шт, 1 неделя |
1 шт: 182.40 руб. 5 шт: 174 руб. 10+ шт: 164.40 руб.
|
||
(Китай) Производитель INFINEON | — | 2 шт, 1 неделя |
1 шт: 1 872 руб. 5 шт: 1 778.40 руб. 10+ шт: 1 684.80 руб.
|
||
(VISHAY) Транзистор полевой Nканальный 500В 22А 277Вт | — | 144 шт, 1 неделя |
1 шт: 687.60 руб. 5 шт: 654 руб. 10+ шт: 619.20 руб.
|
||
(VISHAY) Транзистор полевой Nканальный 500В 32А 460Вт 0.135 Ом | — | 252 шт, 1 неделя |
1 шт: 819.60 руб. 5 шт: 778.80 руб. 10+ шт: 738 руб.
|
||
(Китай) Транзистор 2N5088 TO92 ON Semiconductor SiNra35V0.05A0.625W100MHz | — | 19 шт, 1 неделя |
1 шт: 14.40 руб. 5 шт: 14.40 руб. 10+ шт: 13.20 руб.
|
||
(Китай) Транзистор IRFP22N50A TO247 International Rectifier NMOSFETVMOS500V22A0.23R277W | — | 3 шт, 1 неделя |
1 шт: 660 руб. 5 шт: 627.60 руб. 10+ шт: 594 руб.
|
||
(Китай) Транзистор IRFP22N50A TO247 International Rectifier NMOSFETVMOS500V22A0.23R277W | 3 шт | заказ |
1 шт: 598.80 руб. 5 шт: 570 руб. 10+ шт: 540 руб.
|
||
(Китай) Транзисторы FMV12N50E | 8 шт | заказ |
1 шт: 132 руб. 5 шт: 126 руб. 10+ шт: 118.80 руб.
|
(ONS) SCR TO92 | 4 шт | — | 28 руб. | ||
NPN 30V 0,05A TO92 | 244 шт | — | 18 руб. | ||
(ONS) | 7 шт | — | 377 руб. | ||
(INFINEON) TO252 DPAK | 100 шт | — | 46 руб. | ||
(INFINEON) TO247 | 10 шт | — | 476 руб. | ||
(INFIN) Транзистор TO247 | 10 шт | — | 939 руб. | ||
(ST) D2PAK TO263 | 10 шт | — | 174 руб. | ||
(ST) TO220FP | 10 шт | — | 224 руб. | ||
(IR) Транзистор TO247AC | 10 шт | — | 589 руб. | ||
(IR) TO247AC | 10 шт | — | 522 руб. | ||
(IXYS) ISOPLUS247 | 10 шт | — | 664 руб. | ||
(IXYS) Транзистор TO-3P | 10 шт | — | 628 руб. | ||
(VISH/IR) MOSFET | 1 шт | — | 1 060 руб. |
(MICROCHIP TECHNOLOGY) | 88 шт | заказ | 44 144.62 руб. | ||
(InterFET) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 548 шт | заказ | 2 248.90 руб. | ||
(ONSEMI) / М.опт: 10-49 шт. Опт: от 50 шт. | 364 шт | заказ | 1 704.48 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 676 шт | заказ | 1 142.83 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 4566 шт | заказ | 93.61 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 16237 шт | заказ | 103.69 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 7468 шт | заказ | 93.61 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 8890 шт | заказ | 100.16 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 3564 шт | заказ | 88.91 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 6303 шт | заказ | 73.31 руб. | ||
(CENTRAL SEMICONDUCTOR) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 10094 шт | заказ | 73.31 руб. | ||
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 4732 шт | заказ | 126.83 руб. | ||
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 652 шт | заказ | 477.57 руб. | ||
(On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 178.73 руб. | ||
(RADIALL) / М.опт: 5-9 шт. Опт: от 10 шт. | 1 шт | заказ | 80 036.94 руб. | ||
(Nisshinbo) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 2228 шт | заказ | 275.02 руб. | ||
(Riedon products by Bourns) / М.опт: 5-9 шт. Опт: от 10 шт. | — | 3 недели | 2 145.98 руб. | ||
(Infineon Technologies) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 1 728.71 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 1877 шт | заказ | 176.15 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 301.56 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 223 шт | заказ | 251.65 руб. | ||
(Diodes Incorporated) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 9 шт | заказ | 236.55 руб. | ||
(Diodes Incorporated) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 298.05 руб. | ||
(onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 2937 шт | заказ | 290.43 руб. | ||
(IXYS) / М.опт: 10-49 шт. Опт: от 50 шт. | 268 шт | заказ | 576.76 руб. | ||
(IXYS) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 50 шт | заказ | 8 311.96 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 629 шт | заказ | 276.15 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 116 шт | заказ | 345.98 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 5007 шт | заказ | 255.52 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 354 шт | заказ | 685.87 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 382 шт | заказ | 749.10 руб. | ||
(Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 2211 шт | заказ | 692.42 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(Microchip Technology) NPN SILICON TRANSISTOR | 48 шт | 1 неделя | 71 050 руб. | |
(Silicon Transistor Corp. (STC)) NPN SILICON TRANSISTOR | 3 шт | 1 неделя | 4 695 руб. | ||
(GTC (General Transistor Corp.)) Транзистор | 211 шт | 1 неделя | 2 651 руб. | ||
(CDIL) TRANS NPN 90V 20A TO3 | 253 шт | 1 неделя | 631 руб. | ||
(onsemi) TRANS NPN 90V 20A TO204 | 479 шт | 1 неделя | 2 756 руб. | ||
(RCA (Radio Corporation of America)) TRANS NPN 75V 20A TO3 | 145 шт | 1 неделя | 2 934 руб. | ||
(Motorola) NPN SILICON TRANSISTOR | 23 шт | 1 неделя | 2 347 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) TRANS NPN 300V 0.15A TO39 | 783 шт | 1 неделя | 1 883 руб. | ||
(Motorola) | 26 шт | 1 неделя | 1 056 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) SCR 30V 800MA TO92 | 3540 шт | 1 неделя | 232 руб. | ||
(onsemi) SCR 30V 800MA TO92-3 | 56185 шт | 1 неделя | 40 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) SCR 60V 800MA TO92 | 2345 шт | 1 неделя | 232 руб. | ||
(Motorola) | 59 шт | 1 неделя | 704 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) SCR 100V 800MA TO92 | 4395 шт | 1 неделя | 235 руб. | ||
(onsemi) SCR 100V 800MA TO92-3 | 38000 шт | 1 неделя | 23.50 руб. | ||
(onsemi) SCR 100V 800MA TO92-3 | 2092 шт | 1 неделя | 40 руб. | ||
(Motorola) | 14 шт | 1 неделя | 1 056 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) SCR 150V 800MA TO92 | 3421 шт | 1 неделя | 228 руб. | ||
(New Jersey Semiconductor (NJS)) SCR 200V 800MA TO92-3 | 1318 шт | 1 неделя | 244 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) SCR 200V 800MA TO92 | 32 шт | 1 неделя | 228 руб. | ||
(GTC (General Transistor Corp.)) POWER BJT | 61 шт | 1 неделя | 880 руб. | ||
(General Semiconductor) TRANS 250V 3A TO59 | 32 шт | 1 неделя | 65 074 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 | 91978 шт | 1 неделя | 7 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp) Транзистор: TRANS PNP 50V 0.05A TO92-3 | 2071 шт | 1 неделя | 181 руб. | ||
(ON Semiconductor) TRANS PNP 50V 0.05A TO92 | 820 шт | 1 неделя | 29.30 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp.) Транзистор: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 | 851 шт | 1 неделя | 106 руб. | ||
(Samsung) TRANS NPN 25V 0.05A TO92 | 90300 шт | 1 неделя | 21 руб. | ||
(Central Semiconductor Corp.) Транзистор: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92 | 4070 шт | 1 неделя | 108 руб. | ||
(J.W. Winco) ADJ LEVER ZINC DIE-CAST, STEEL | 347 шт | 1 неделя | 1 892 руб. |
(Huber & Suhner) | — | заказ | — | ||
(INFINEON TECHNOLOGIES) Транзистор SPW32N50C3FKSA1 | — | заказ | — |
1 шт | — | 175 руб. | |||
б/г | 10 шт | — | 2 096.25 руб. | ||
(WAYON) Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке). Нормоупаковка - 3000. Вес брутто - 0.03 г. Корпус - SOT23-3. Описание - N-Channel MOSFET Vds= 20V, Id = 5.A. | 8583 шт | — | 5.84 руб. | ||
104960 шт | — | 4.28 руб. | |||
100 шт | — | 712.50 руб. | |||
(FUJI) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 50. Вес брутто - 2.5 г. Корпус - TO-220F. Описание - Field-effect transistor, N-channel, 500V 12A 60W. | 150 шт | — | 127.76 руб. | ||
1 шт | — | 59.80 руб. | |||
5 шт | — | 1 597 руб. | |||
30 шт | — | 1 500 руб. | |||
2 шт | — | 387.50 руб. | |||
2825 шт | — | 98.49 руб. | |||
30 шт | — | 637.50 руб. | |||
(VISHAY) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 25. Вес брутто - 7.2 г. Корпус - TO-247AC. Описание - MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC. | 144 шт | — | 497.03 руб. | ||
10 шт | — | 675 руб. | |||
(VISHAY) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 25. Вес брутто - 6.47 г. Корпус - TO-247AC. Описание - MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC. | 252 шт | — | 683.19 руб. | ||
100 шт | — | 1 262.50 руб. | |||
3 шт | 3 недели | 648.70 руб. | |||
8 шт | 3 недели | 143 руб. | |||
43 шт | — | 672.75 руб. | |||
1 шт | — | 187.50 руб. | |||
(EKF) Нормоупаковка - 1. | 152 шт | — | 159.59 руб. |
(HUBER+SUHNER) доп. инф.: 1 | 10 шт | — |
1 шт: 2 250 руб. 5 шт: 2 100 руб. 25+ шт: 1 950 руб.
|
1 шт | — | 400 руб. |
(2011 г.) | 140 шт | — | 27 руб. |
15 шт | — | 1 462.22 руб. | |||
105 шт | — | 32.63 руб. | |||
8 шт | — | 1 612.50 руб. |
12 шт | — | 2 280 руб. |
(INFIN) TO247 | 1 шт | — | 633 руб. | ||
(IR) TO247AC | 35 шт | — | 369 руб. | ||
(IXYS) TO-3P | 1 шт | — | 430 руб. |
(ONS) THYRISTOR SCR 0.8A 60V TO92 | — | заказ | — | ||
(ONS) ЁаЁбва 100 0,8 200 | — | заказ | — | ||
(ONS) THYRISTOR SCR 0.8A 200V TO92 | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) ЁаЁбвал | — | заказ | — | ||
(ONS) TRANS NPN 30V 0.05A TO92 | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) аЁбвал Ёпал | — | заказ | — | ||
(Unisonic) аЁбвал Ёпал | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 525V 4,4A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 10A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 7A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 10A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500Vяя9A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 14A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 10A | — | заказ | — | ||
(FUJI) N-MOS+Dяя500V, 12A, 60W | — | заказ | — | ||
(KF) Ёв л б йЁв а, 24 вв. | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 7A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 8,5A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 11A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 14A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 14A | — | заказ | — | ||
(INFIN) | — | заказ | — | ||
(INF) MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | — | заказ | — | ||
(INF) | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 14A | — | заказ | — | ||
(INFIN) | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 14A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 18A | — | заказ | — | ||
(INFIN) | — | заказ | — | ||
(INF) MOSFET N-CH 560V 52A TO-247 | — | заказ | — | ||
(INFIN) | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 14A | — | заказ | — | ||
(ST) ва: N-MOSFET 500V 18A | — | заказ | — |
(Microchip technology) Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT | 150 шт | 8 недель | 51 140 руб. | ||
(Microchip technology) | 400 шт | 8 недель | 16 900 руб. | ||
(Texas instruments) Импульсные регуляторы напряжения pwr Cnvtr Hi Eff 1A SD Vtg Reg | — | 8 недель | — | ||
(Abb) | — | 8 недель | — | ||
(Abb) | — | 8 недель | — | ||
(Abb) Краткое описание: Вес: 0,06, Минимальный заказ: 1, , Способ монтажа: DIN-рейка (с ?-профилем) 35 мм, Конструктивный размер (габарит): 1 модуль, Уровень защиты по напряжению: 1,5, Макс. длительное напряжение перемен. тока АС: 275, Номин. напряжение перемен | — | 8 недель | — |
(HUBER+SUHNER) | 10 шт | 1 неделя | 1 637.35 руб. | ||
(WAYON) | 126585 шт | 1 неделя | 9.78 руб. | ||
(INFINEON) | 2 шт | 1 неделя | 1 295.01 руб. | ||
(Infineon Technologies AG) | 28 шт | 1 неделя | 1 950.35 руб. | ||
(STMICROELECTRONICS) (2017 г.) | 5 шт | 1 неделя | 579.04 руб. | ||
(WAYON) | 3925 шт | 1 неделя | 86.07 руб. | ||
(VISHAY) (2018 г.) | 22 шт | 1 неделя | 627.94 руб. | ||
(IXYS) | 4 шт | 1 неделя | 204.42 руб. | ||
(Weidmuller Interfase Gmbh & Co. KG) | 24 шт | 1 неделя | 601.54 руб. | ||
(TechStar Electronics Corp) | 43 шт | 1 неделя | 564.37 руб. |
(ON Semiconductor) DC: N/A N/A 1 | 18000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Littelfuse Inc) комплектные тиристорные устройства DC: 20+/21+/22+ SCR SENSITIVE GATE 0.8A 200V N/A 1 | 18822 шт | 5 недель | — | ||
(Littelfuse Inc) комплектные тиристорные устройства DC: 20+/21+/22+ SCR SENS GATE 200V 0.8A TO-92 N/A 1 | 18922 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) 23+ D2PAK N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Infineon Technologies) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Infineon Technologies) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Infineon Technologies) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Infineon Technologies) 23+ PG-TO-247-3 N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Infineon Technologies) 23+ PG-TO247-3-1 N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(Infineon Technologies) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) D/C: N/A TO-247 N/A 1 | 2950 шт | 5 недель | — | ||
(STMicroelectronics) 19+ TO-252-3 (DPAK) N/A 2500/REEL | 5000 шт | 5 недель | — | ||
(STMicroelectronics) 23+ TO-252-3(DPAK) N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(STMicroelectronics) 23+ TO-220-3 N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(AOS) 10+ T0-220F N/A 1 | 218 шт | 5 недель | — | ||
(VISHAY) 19+ TO-247-3 N/A 500/BOX (25/TUBE) | 2425 шт | 5 недель | 235.63 руб. | ||
(Vishay Intertechnology) D/C: N/A TO-247 N/A 1 | 1100 шт | 5 недель | — | ||
(VISHAY) 23+ TO-247-3 N/A 500/BOX (25/TUBE) | 3050 шт | 5 недель | 256.07 руб. | ||
(IXYS Corporation) D/C: N/A TO-3P N/A 1 | 2100 шт | 5 недель | — | ||
(IXYS Corporation) D/C: N/A TO-220 N/A 1 | 4000 шт | 5 недель | — | ||
(VISHAY) 1220+ TO-220 N/A 1 | 600 шт | 5 недель | — |
10000 шт | заказ | 0.34 руб. |
(ONS) | — | 1 неделя | — | ||
(NXP) | — | 1 неделя | — | ||
(ONS) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
(INFIN) | — | 1 неделя | — | ||
(IR) | — | 1 неделя | — | ||
(VISH/IR) | — | 1 неделя | — | ||
(VISHAY) | — | 1 неделя | — |
(Microsemi) | — | заказ | 18 387.43 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 18 389.39 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | 3 663.01 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 4 915.97 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 112.48 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(NXP Semiconductors) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 66.51 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | 3 153.42 руб. | ||
(Microsemi) | — | заказ | — | ||
(Microsemi) | — | заказ | — |
(HUBER+SUHNER) 1 | 10 шт | — | 1 250 руб. |
1244 этикетка | 40 шт | 1 неделя | — | ||
1244 этикетка | 40 шт | 1 неделя | — | ||
1244 этикетка | 40 шт | 1 неделя | — | ||
1279 | 38 шт | 1 неделя | 989 руб. | ||
(2010 г.) 1115 этикетка есть | 30 шт | 1 неделя | 16.80 руб. | ||
(2015 г.) 1104 этикетка | 6 шт | 1 неделя | 202.46 руб. |
(ONS) | 10000 шт | 3 недели | 8 руб. | ||
— | заказ | — | |||
(WAYON) | 3000 шт | 3 недели | 6 руб. | ||
(ONS) | 30 шт | 3 недели | 1 168 руб. | ||
(INF) | 25 шт | 3 недели | 308 руб. | ||
(OSRAM) | 2000 шт | 3 недели | 26 руб. | ||
3 шт | 3 недели | 108 руб. | |||
23 шт | 3 недели | 420 руб. | |||
5 шт | 3 недели | 53 руб. |
(Microchip) | — | 40 недель | 68 336.71 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 68 336.71 руб. | ||
(Microchip) | — | 40 недель | 4 614.78 руб. | ||
(Microchip) | — | 35 недель | 11 293.57 руб. | ||
(ONS) | — | 13 недель | 1 297.61 руб. | ||
(Microchip) | — | 35 недель | 11 293.57 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 32.62 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 19.48 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 32.62 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 5.63 руб. | ||
(CDIL) | — | 6 недель | 5.29 руб. | ||
(SR Passives) | — | 6 недель | 3.79 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 83.31 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 76.97 руб. | ||
(ONS) | — | 7 недель | 67.59 руб. | ||
(KYOCERAAVX) | — | 49 недель | 19.81 руб. | ||
(Bourns) | — | 9 недель | 360.33 руб. | ||
(WAYON) | 175304 шт | — | 2.58 руб. | ||
(ALPHAO) | — | 22 недели | 144.36 руб. | ||
(ALPHAO) | — | 22 недели | 233.02 руб. | ||
(ONS) | — | 61 неделя | 154.88 руб. | ||
(ONS) | — | 48 недель | 406.54 руб. | ||
(FUJI) | — | заказ | 81.52 руб. | ||
(STM) | — | 7 недель | 408.34 руб. | ||
(Vishay) | — | 49 недель | 2 400.95 руб. | ||
(Infineon) | — | 39 недель | 1 058.87 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 176.17 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 139.91 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 220.92 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 156.10 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 157.61 руб. | ||
(DIODES) | — | 26 недель | 138.50 руб. |
(SPC Technology) | — | заказ | 414 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 518.40 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 119.70 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 24.30 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 117.90 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 110.70 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 119.70 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 35.64 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 8.06 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 110.70 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 122.40 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 44.73 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 110.70 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 117.90 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 117.90 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 33.66 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 110.70 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 110.70 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 135.90 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 72.09 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 33.30 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 41.67 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 135.90 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 7.34 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 8.71 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 82.17 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 82.17 руб. | ||
(Central Semiconductor) | — | заказ | 135.90 руб. | ||
(UTC/Unisonic Technologies (LianShun Electronics)) | — | заказ | 18.27 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 14.04 руб. | ||
(Huber+Suhner) | — | заказ | 3 064.50 руб. | ||
(Huber+Suhner) | — | заказ | 2 985.30 руб. | ||
(Huber+Suhner) | — | заказ | 6 678.90 руб. |
(HUBER+SUHNER) | — | 10 недель | 1 875 руб. |
(Microsemi) Биполярные транзисторы - BJT Power BJT | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы - BJT Power BJT | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы - BJT Power BJT | — | 1 неделя | — | ||
(InterFET) JFET JFET P-Channel -50V 50mA 500mW 4mW | — | 1 неделя | — | ||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(ON Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT 20A 90V 140W NPN | — | 1 неделя | — | ||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(Microsemi) Биполярные транзисторы - BJT Power BJT | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT Small Signal Transistor | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT Small Signal Transistor | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8A 30V | — | 1 неделя | — | ||
(TECCOR) | — | 1 неделя | — | ||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8A 60V | — | 1 неделя | — | ||
(TECCOR) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(ON SEMICONDUCTOR) | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8A 100V | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8A 150V | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Комплектные тиристорные устройства (SCR) 0.8A 200V | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose | — | 1 неделя | — | ||
(Central Semiconductor) Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SS | — | 1 неделя | — |
(TOSHIBA) | 2273 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 6066 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 459 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 5075 шт | 2 недели | — | ||
(Texas Instruments) | 1066 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 366 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 5965 шт | 2 недели | — | ||
(Linear Technology) | 141 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 130 шт | 2 недели | — | ||
(VBsemi) | 7066 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 2066 шт | 2 недели | — | ||
(VBsemi) | 5086 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 1877 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 1066 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 5056 шт | 2 недели | — | ||
(по запросу) | 139 шт | 2 недели | — | ||
(VBsemi) | 5086 шт | 2 недели | — | ||
(VBsemi) | 5076 шт | 2 недели | — | ||
(VBsemi) | 2166 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 1428 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 2346 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 316 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 2346 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 6066 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 2316 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 5455 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 2946 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 271 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 1826 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 5916 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 226 шт | 2 недели | — | ||
(Infineon Technologies AG) | 5746 шт | 2 недели | — |
(-) | 8 шт | — | 31.20 руб. |
1140 шт | — | — | |||
793 шт | — | — | |||
22 шт | — | 40.60 руб. | |||
21 шт | — | — | |||
9 шт | — | 37.44 руб. | |||
696 шт | — | — | |||
10000 шт | — | — | |||
9790 шт | — | — | |||
13 шт | — | — | |||
15 шт | — | — | |||
21 шт | — | — | |||
9 шт | — | — | |||
8 шт | — | — | |||
22 шт | — | — | |||
15 шт | — | — | |||
103 шт | — | 85.54 руб. | |||
20 шт | — | — | |||
200 шт | — | — | |||
1150 шт | — | — | |||
87 шт | — | — | |||
1000 шт | — | — | |||
1000 шт | — | — | |||
9 шт | — | — | |||
9 шт | — | — | |||
20 шт | — | — | |||
23 шт | — | — | |||
14 шт | — | — | |||
17 шт | — | — | |||
17 шт | — | — | |||
11 шт | — | — | |||
9 шт | — | — | |||
20 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
486- SPW32N50C3FKSA1
- WM02N50M
- IRFP22N50APBF
- 2N5089
- FMV12N50E
- SPD02N50C3
- 2N5038
- 2N5064
- IRFP32N50KPBF
- 2N5038G
- 32N-50-0-1/133 переход коаксиальный
- 2N5061G
- SPW52N50C3
- 2N5088
- 2N5060
- 2N5060RLRAG
- 2N5061 PBFREE
- 2N5002
- 2N5061
- IXTQ22N50P
- SPP12N50C3
- STD12N50DM2
- 2N5062G
- 2N5064G
- 2N5060G
- 2N5062RLRAG
- MTD 2N 50E1
- 2N5088G
- 2N5060RLRMG
- FDB12N50TM
- 2N5064 PBFREE
- STF12N50M2
- IXTA12N50P
- ZXT12N50DXTA
- 2N5089 PBFREE
- 2N5062
- SPW32N50C3
- 2N5039
- STP12N50M2
- Транзистор IRFP22N50A TO-247 International Rectifier N-MOSFET;V-MOS;500V,22A,0.23R,277W
- FDP22N50N
- WML22N50C4
- 2N5088 PBFREE
- IRFP22N50A
- STD12N50M2
- 2N5063
- 2N5059
- IXFP12N50P
- IXTB62N50L
- SPA12N50C3
- STF12N50DM2
- 2N5087 PBFREE
- Транзисторы FMV12N50E
- 2N5064RLRAG
- FQU2N50BTU
- 2N5058 PBFREE
- SIHP12N50C-E3
- 2N5003
- SIHG32N50D-GE3
- 2N5062 PBFREE
- 2N5088TA
- 2N5020
- SPP12N50C3XKSA1
- 2N5062RLRA
- 2N5060RLRM
- 2N5031
- 2N5050
- KF332N-5.0-24P-12 Набор контактов 24 поз, шаг 5,00мм
- SPB12N50C3
- 2N5004
- 2N5064RLRMG
- AOT12N50
- 2N5088TF
- 2N5060 PBFREE
- 2N5087
- LM2672N-5.0/NOPB
- Кабель Power-H112K-P12N-500 TSR
- IXTP12N50P
- 2N5060RLRA
- 2N5086BU
- IXFA12N50P
- 2N5088BU
- AOT22N50L
- SPW32N50C3 TO247
- 22N5002
- FDPF12N50UT (TO-220F)
- FDPF12N50NZ (TO220F)
- 2N5064 TO92 ONS
- 32N-50-0-1-133ПЕРЕХОДКОАКСИАЛЬНЫЙ
- IXTV22N50PS
- SSH22N50A (ST-STW19NM50N)
- IRFBA22N50A
- SPA12N50C3 (ST-STP14NK50Z)
- SPW32N50C3/32N50C3
- 2N5089TFR
- AOB12N50 (TO-263)
- PV32N505A01B00
- QM12N50F
- PHP2N50E
- 2N5064RLRM
- OVR T1-T2 N 50-440
- FDB12N50F
- FMI12N50E
- AL02BT2N502
- SPB12N50C3 (ST-STB14NK50ZT4)
- 2N5087 (TO-92)
- IXFH32N50Q
- MTP2N50E-VB
- 12N50A03K
- MTP2N50
- STD12N50M2, Микросхема
- 2N5087RLRAG
- 2N5087TFR
- 2N5087 TO92 Philips
- 32N5001
- 2N5064RP
- FMC12N50ES
- 2N5089 (TO-92)
- ТИРИСТОР 2N5064
- IXFB132N50P3
- 2N5064.112
- X0602MA TO92 ST аналог 2N5064
- AOK22N50 (TO-247)
- FQP2N50C (ST-STP5N52K3)
- FDB12N50
- SPA12N50C3 (ST-STF12NM50N)
- 2N5087 TRA PBFREE
- 2N5052 PBFREE
- 2N5060G ONS
- 2N5087 Транзистор
- 2N5061RLRA
- 2N5060 TO92 ONS
- 2N5086 PBFREE
- IRFP22N50APBF- N-канал, TO-247, 22А, 500В Транзистор полевой
- RMK22N500KF
- Power-H112K-P12N-500
- FQD2N50TF
- AOT12N50 (TO-220)
- 2N5086
- AOWF12N50 (TO-262F)
- WML22N50C4 TO220F Wayon
- MTD2N50E1
- FMC12N50E
- SIHB12N50E-GE3
- SPW12N50C3
- FDPF12N50NZ
- 2N5013
- SPP12N50C3 (ST-STP14NK50ZFP)
- 2N5061RLRAG
- 2N5089G
- 2N5097
- 2N5089 Транзисторы
- FMC12N50ES (ST-STB14NK50ZT4)
- OVR H T1-T2 N 50-2
- IRFP32N50K IRFP32N50KPBF
- KF332N-5.0-24P-12
- IXFH52N50P2
- 2N5063 PBFREE
- 2N5051
- 2N5011
- OVR T1-T2 N 50-275
- LM2672N-5.0/NOPB (PDIP-8)
- NB12N50683KBB
- 2N50E
- IRFP22N50A TO247 IR
- JC3.660.202 (N-50KFD-B)
- IRFP22N50A 22N50A
- IXFH42N50P2
- FDP12N50 (ST-STP10NM50N)
- FDPF12N50T
- 2N5064G, ЁаЁбва 0.8 200 [-92]
- MTD2N50E
- IXFN132N50P3
- SIHD12N50E-GE3
- 2N5087RLRA
- NTHS1206N02N5001JE
- FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220]
- JC3.640.012 (N-50KJK)
- T2N5087
- 2N5087TF
- 2N5000
- FQU2N50BTU-WS
- 2N5087-CDI
- 2N5038G (TO-204)
- FMI12N50ES
- транз КТ819А /NPN /3 /TO-3 /[2Т819А/2N5068] /
- 2N5089, аЁбва NPN 30 0.1 0.625в [TO-92]
- IRFP22N50APBF, Транзистор, N-канал 500В 22А [TO-247AC]
- FDP22N50N (TO-220)
- FDB12N50U (TO-263/D2PAK)
- BN44-00439B I37F1 BDY REV:1.1 SQT7011K K12A50D FDPF12N50+ трансф. MQGAH033230 NYB-003 MQGAH033170 NYB-003 MQGAH033180
- SPW12N50C
- 2N5088 (TO-92)
- 2N5094
- 2N5012
- 2N5088TAR
- AOW12N50 (TO-262)
- 2N5077
- X0602MA TO92 ST аналог 2N5064
- FQI2N50TU
- 2N5088G от 100 шт
- FMA12N50E (ST-STP11NK50Z)
- MTP2N50E
- JAN2N5038
- STF12N50N 12NM50N транзисторы
- 2N5061G TO92 ONS
- SPB12N50C2
- IRFP32N50K
- FDPF12N50FT (TO-220F)
- IXFL132N50P3
- 32N50051/193NE
- FMP12N50E
- FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F]
- AOTF12N50
- 2N5064,112
- AOT12N50 (ST-STP11NK50Z)
- IXFP12N50PM
- пред вост ICP / 2,0А / 50В /0,035 Ом /TO-92 /N50 /
- IXTQ22N50P TO3P Ixys
- AOW12N50 (TO-262)
- SPW12N50C3 (ST-STW14NK50Z)
- 2N5099
- 32N-50-0-1/133NE
- SPD02N50C3BTMA1
- FMP12N50ES
- IXTP12N50PM
- SPW32N50C3 TO247 Infineon
- FMC12N50E (ST-STB9NK50ZT4)
- 2N5086 (TO-92)
- LY2N 50AC
- IXTV22N50P
- SPA12N50C3 (ST-STF11NM50N)
- IXFX32N50
- 2N5088 Транзистор
- 12N50C3
- SPW32N50C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 560В 32А [TO-247]
- SSH22N50A
- FMV12N50ES
- 2N5069
- ТРАНЗИСТОР ИМП IRFP32N50K
- 2N5064 Philips
- AOWF12N50 (TO-262F)
- IXFX32N50Q
- Транзистор 2N5088 TO-92 ON Semiconductor Si-N;ra;35V,0.05A,0.625W,>100MHz
- IXTH22N50P
- AOTF22N50 (TO-220F)
- MMIX1F132N50P3
- FDB12N50FTM
- 2N5052
- JC3.640.172 (N-50KJ-T)
- 2N5058
- R4042N5000
- 2N5089BU
- SPW12N50C3 (ST-STW20NK50Z)
- транз AOD472 /N /50 /TO-252 /
- L6982N50DR
- RTDW2N-500RF8
- 1977310000(LL2N 5.00/16/90 3.2SN OR BX)
- 2N5089 TO92 Fair
- IRFP32N50K TO247 IR
- PHD2N50E
- FDP12N50 (TO-220)
- STB12N50N 12NM50N транзисторы
- SSH22N50A (ST-STW20NK50Z)
- 2N5059 PBFREE
- 2N5010
- RP402N501E-TR-FE
- AOTF12N50 (TO-220F)
- FDB12N50TM (TO-263/D2PAK)
- 2N5087TA
- 2N5088G, аЁбва NPN 30 0.05, [TO-92]
- FQD2N50
- FDPF12N50T (TO-220F)
- 12N50ES
- FMP12N50E (ST-STP11NK50Z)
- 2N5001
- FQD2N50TM
- IRFP32N50KPBF, Транзистор MOSFET N-канал 32А 500В [TO-247AC]
- FML12N50ES
- 2N5087G
- FDB12N50F (TO-263/D2PAK)
- MDF12N50 (ST-STF10NM50N)
- SIHA12N50E-E3
- Маркер кабельный 4,0 мм2 N (500 шт.) (ЕС-2) EKF PROxima
- IXFH22N50P
- FQP2N50
- AOT22N50 (TO-220)
- SIHG22N50D-GE3
- CCT-2N/50V
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?