| Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
|---|
| N-Channel 600V_10A | — | — | 197 руб. | ||
| N-Channel MOSFET 12A 600V 51W | — | — | 101 руб. | ||
| N-Channel MOSFET 12A 600V 51W | — | — | 84 руб. | ||
| N-Channel 600V 12A | — | — | 236 руб. | ||
| N-Channel MOSFET 12 A, 600/650 | — | — | 100 руб. |
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 44 шт | — | 135 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 26 шт | — | 188 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 20 шт | — | 375 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 11 шт | — | 375 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 89 шт | — | 105 руб. | ||
| В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 13 шт | — | 135 руб. |
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; P=278Вт; Iи=12А; R=0,65(Ом) (макс.); Tраб. -55...+150°C | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; P=278Вт; Iи=12А; R=0,65(Ом) (при 10V); Tраб. -55...+150°C | — | 3 недели | — | ||
| Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=12мА; RDS(ON)=550(Ом) (max при VGS=10V) | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=12А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=12А | — | 3 недели | — | ||
| Полевой SMD транзистор с изолированным затвором; N-канал; Uси=600В; Iс=12мА; RDS(ON)=550(Ом) (max при VGS=10V) | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор полевой с изолированным затвором; N-канал; Uси=В; Iи=А; R=Ом; P=Вт; Tраб. °C; N-канал; Uси=600В; Iи=12А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=0А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Транзистор IGBT; Uкэ=600В; Iк=23А | — | 3 недели | — | ||
| Стойка шестигранная с внешними резьбами; M5x0,8; SW=6,0мм; L=12,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — | ||
| Стойка шестигранная с внутренней и наружной резьбами; M5x0,8; SW=6,0мм; L=12,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — | ||
| Стойка шестигранная с внутренней резьбой; SW=6,0мм; L=12,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — | ||
| Стойка шестигранная с внешними резьбами; M3x0,5; M4x0,7; SW=6,0мм; L=12,0мм; латунь никелированная | — | 3 недели | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
Транзистор | — | заказ | — |
|
ЮЛ+ФЛ
|
(SILAN) МОП-Транзистор 600 В 12 А 51 Вт 750 м-@10 В, 6 А 4 В @ 250мкА N-канальный TO-220F-3 МОП-Транзистор ROHS | — | 53 шт, 4 недели |
1 шт: 149.17 руб. 10 шт: 121.27 руб. 50 шт: 106.90 руб. 100 шт: 92.55 руб. 500 шт: 80.61 руб. 1000+ шт: 71.97 руб.
|
|
| (Truesemi) МОП-Транзистор 600 В 12 А 54 Вт 700 м-10 В, 6 А 5 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор TO-220F-2 | — | 52 шт, 4 недели |
1 шт: 106.11 руб. 10 шт: 88.95 руб. 50 шт: 74.41 руб. 100 шт: 65.54 руб. 500 шт: 57.95 руб. 1000+ шт: 52.23 руб.
|
||
| (ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 9,7А, TO220F | — | 68 шт, 4 недели |
1 шт: 277.27 руб. 10 шт: 239.57 руб. 30 шт: 215.66 руб. 100 шт: 175.26 руб. 500 шт: 160.79 руб. 1000 шт: 151.66 руб. 2000+ шт: 141.01 руб.
|
||
| (ONSEMI) Транзистор: N-MOSFET; 600В; 7,2А; 240Вт; TO220F | — | 49 шт, 5 недель |
1 шт: 396.79 руб. 10 шт: 324.96 руб. 50 шт: 286.92 руб. 100 шт: 268.89 руб. 500+ шт: 236.20 руб.
|
||
| (VISHAY) Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 7,8А, 147Вт, D2PAK | — | 20 шт, 4 недели |
1 шт: 228.78 руб. 10 шт: 221.34 руб. 50 шт: 208.12 руб. 100+ шт: 192.76 руб.
|
| (onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 844 шт | заказ | 328.82 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 168.01 руб. | ||
| (onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 440 шт | заказ | 551.90 руб. | ||
| (STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 1719 шт | заказ | 295.46 руб. | ||
| (STMicroelectronics) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 2951 шт | заказ | 282.45 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 100.20 руб. | ||
| (onsemi / Fairchild) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 3266 шт | заказ | 395.81 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 148.62 руб. | ||
| (On Semiconductor];Условия поставки: T[под заказ) | — | 3 недели | 157.99 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 2788 шт | заказ | 295.20 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 3625 шт | заказ | 399.94 руб. | ||
| (Vishay Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 475.13 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) / М.опт: 10-99 шт. Опт: от 100 шт. | 960 шт | заказ | 307.89 руб. | ||
| (STMicroelectronics) / М.опт: 50-99 шт. Опт: от 100 шт. | — | 3 недели | 284.03 руб. |
| (Vishay Intertechnology) MOSFET N-ch 600V, 12A | 1 шт | — |
1 шт: 293 руб. 20 шт: 269.70 руб. 40+ шт: 217.40 руб.
|
| (Китай) Транзистор HGTG12N60A4 TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTSMPS Series600V54A96A2.0V17ns96ns167W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания | — | 1051 шт, 1 неделя |
1 шт: 535.20 руб. 5 шт: 508.80 руб. 10+ шт: 482.40 руб.
|
||
| (Китай) Транзистор HGTG12N60A4D TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTDiSMPS Series75kHz600V54A96A2.0V17ns96ns167W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания | — | 1052 шт, 1 неделя |
1 шт: 362.40 руб. 5 шт: 344.40 руб. 10+ шт: 326.40 руб.
|
|
ЮЛ+ФЛ
|
(Fairchild Semiconductor) N-CHANNEL POWER MOSFET | 6990 шт | 1 неделя | 292 руб. | |
| (Fairchild Semiconductor Corp) MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 | 800 шт | 1 неделя | 507 руб. | ||
| (STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | 2359 шт | 1 неделя | 599 руб. | ||
| (STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP | 724 шт | 1 неделя | 375 руб. | ||
| (STMicroelectronics) MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | 70 шт | 1 неделя | 328 руб. | ||
| (ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR) | 696 шт | 1 неделя | 373 руб. | ||
| (Alpha & Omega Semiconductor Inc.) MOSFET N-CH 600V 12A TO220F | 343 шт | 1 неделя | 510 руб. | ||
| (ON SEMICONDUCTOR) Транзистор: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F | 49 шт | 1 неделя | 405 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: HGTP12N6001 | 568 шт | 1 неделя | 477 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor Corp) Транзистор: IGBT 600V 54A TO220-3 | 54 шт | 1 неделя | 383 руб. | ||
| (onsemi) Транзистор | 690 шт | 1 неделя | 311 руб. | ||
| (VISHAY) MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 784 шт | 1 неделя | 525 руб. | ||
| (Vishay Intertechnology Inc) MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 500 шт | 1 неделя | 355 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 6598 шт | 1 неделя | 731 руб. | ||
| (Vishay) MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | 3934 шт | 1 неделя | 595 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | 2807 шт | 1 неделя | 595 руб. | ||
| (Vishay / Siliconix) MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | 861 шт | 1 неделя | 241 руб. | ||
| (onsemi) Транзистор: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2 | 4000 шт | 1 неделя | 631 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT | 917 шт | 1 неделя | 288 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT | 400 шт | 1 неделя | 288 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/ | 1100 шт | 1 неделя | 297 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | 899 шт | 1 неделя | 326 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT | 2637 шт | 1 неделя | 282 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) Транзистор: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL | 565 шт | 1 неделя | 445 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT | 1962 шт | 1 неделя | 277 руб. | ||
| (Harris Corporation) Транзистор: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | 2400 шт | 1 неделя | 335 руб. | ||
| (NXP USA Inc.) Микросхема: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP | 2000 шт | 1 неделя | 36 руб. |
| (KEC) Транзистор TO-220SIS | 10 шт | — | 135 руб. | ||
| MOSFET_N TO220 | 10 шт | — | 62 руб. | ||
| (FAIR) TO220 | 140 шт | — | 126 руб. | ||
| (FAIR) TO220 | 10 шт | — | 203 руб. | ||
| (FAIR) MOSFET_N TO220F | 2 шт | — | 68 руб. | ||
| (FAIR) TO220F | 10 шт | — | 126 руб. | ||
| (FSC) Транзистор TO-247 | 10 шт | — | 337 руб. |
| (ONS) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 1000. Корпус - TO-220-3. Описание - MOSFET N-CH 600V TO-220F-3. | 9 шт | — | 475.88 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | 200 шт | — | 429 руб. | ||
| (ON Semiconductor) | 400 шт | — | 299 руб. | ||
| 1 шт | — | 380.90 руб. |
| (Vishay Intertechnology) | 1 шт | 1 неделя | 410.39 руб. |
| (FAIR) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIR) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | 30 шт | 1 неделя | 194 руб. | ||
| (FSC) | 30 шт | 1 неделя | 176 руб. | ||
| (FSC) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIR) | — | 1 неделя | — | ||
| (VISHAY) | — | 1 неделя | — |
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 11A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 18A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (FSC1) N-MOS+Dяя600V, 12A, 225W | — | заказ | — | ||
| (ONSemiconductor) ваЁбвал л Ёавл | — | заказ | — | ||
| (Fairchild) аЁбвал л (MOSFET) | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 6,5A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 6,5A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (FAIR) | — | заказ | — | ||
| (FSC1) N-MOS+Dяя600V, 12A, 51W | — | заказ | — | ||
| (ST) ва: N-MOSFET 600V 10A | — | заказ | — | ||
| (ONSemiconductor) ваЁбвал л Ёавл | — | заказ | — | ||
| (FAIR) | — | заказ | — | ||
| (FSC) IGB0/54/167в/Uн б.=2.0, бвал Hyperfast Ё, >100ж ,trise/fall=8/18б | — | заказ | — | ||
| (Fairchild) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
| (FSC) IGBT N- 600/54/Uн(б)=2, бвал Hyperfast Ё, 200 ж | — | заказ | — | ||
| (FSC) IGBT 600V 24A 104W TO220AB | — | заказ | — | ||
| (VISHAY) | — | заказ | — |
| 5 шт | — | 150.96 руб. | |||
| 3 шт | — | 261.36 руб. |
| срок 5-28 недель, кратно НУ | 3200 шт | заказ | — |
| — | заказ | — | |||
| (A&O) | 3000 шт | 3 недели | 13 руб. | ||
| (FAIR) | — | 3 недели | 95 руб. | ||
| (STM) | 30 шт | 3 недели | 52 руб. | ||
| (ONS) | 50 шт | 3 недели | 351 руб. | ||
| 10 шт | 3 недели | 75 руб. | |||
| 48 шт | 3 недели | 300 руб. | |||
| 15 шт | 3 недели | 404 руб. | |||
| 2 шт | 3 недели | 265 руб. |
| 3 шт | — | 52 руб. | |||
| 1 шт | — | 234 руб. | |||
| 10 шт | — | 234 руб. | |||
| 5 шт | — | 45.50 руб. | |||
| 6 шт | — | 55.90 руб. | |||
| 1 шт | — | 84.50 руб. | |||
| 2 шт | — | 187.84 руб. | |||
| 5 шт | — | 32.50 руб. | |||
| 2 шт | — | 39 руб. |
| (ALPHAO) | — | 22 недели | 167.31 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 300.39 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 262.84 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 207.46 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 269.88 руб. | ||
| (ONS) | — | заказ | 239.43 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 223.67 руб. | ||
| (STM) | — | 7 недель | 185.40 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 141.89 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 161.71 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 165.87 руб. | ||
| (STM) | — | 52 недели | 159.62 руб. | ||
| (ALPHAO) | — | 20 недель | 143.04 руб. | ||
| (ROY) | — | 6 недель | 22.54 руб. | ||
| (ROY) | — | 6 недель | 29.90 руб. | ||
| (ONS) | — | 63 недели | 227.07 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 549.15 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 417.73 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 198.77 руб. | ||
| (Vishay) | — | 7 недель | 253.45 руб. | ||
| (Vishay) | — | 32 недели | 179.19 руб. | ||
| (Vishay) | — | 32 недели | 197.11 руб. | ||
| (Vishay) | — | 34 недели | 243.38 руб. | ||
| (Vishay) | — | 34 недели | 243.38 руб. | ||
| (Vishay) | — | 34 недели | 284.16 руб. | ||
| (Vishay) | — | 7 недель | 230.45 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 689.95 руб. | ||
| (ONS) | — | 7 недель | 391.91 руб. | ||
| (ADVANTECH) | — | 32 недели | 95 464.45 руб. |
| (Intersil) | 91 шт | 2 недели | — | ||
| (Altek) | 4166 шт | 2 недели | — | ||
| (Altek) | 186 шт | 2 недели | — | ||
| (VBsemi) | 3294 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 110 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 432 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 451 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 6106 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 166 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 3303 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 2405 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 78 шт | 2 недели | — | ||
| (STMicroelectronics) | 2921 шт | 2 недели | — | ||
| (STMicroelectronics) | 85 шт | 2 недели | — | ||
| (STMicroelectronics) | 1746 шт | 2 недели | — | ||
| (VBsemi) | 5086 шт | 2 недели | — | ||
| (VBsemi) | 5066 шт | 2 недели | — | ||
| (AOS) | 2595 шт | 2 недели | — | ||
| (Onsemi) | 1066 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 96 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 7406 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 87 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 516 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
| (IXYS) | 1455 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 856 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 1966 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 649 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 3906 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 76 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 151 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 766 шт | 2 недели | — | ||
| (Vishay) | 316 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 1266 шт | 2 недели | — | ||
| (IR) | 3354 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 293 шт | 2 недели | — | ||
| (Harvard Engineering) | 1466 шт | 2 недели | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) | 866 шт | 2 недели | — |
| — | 1 неделя | — | |||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Chan МОП-транзистор UniFET-II | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in DPAK package | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in PowerFLAT 5x6 HV package | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220 package | — | 1 неделя | — | ||
| (STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in IPAK package | — | 1 неделя | — | ||
| (FSC) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор UNIFET2 600V N-CH МОП-транзистор SINGLE GAGE | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (Fairchild Semiconductor) МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (IXYS) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 600V 2.7 Rds | — | 1 неделя | — | ||
| (ON Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay / Siliconix) МОП-транзистор 650V .38ohm@10V МОП-транзистор | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductors) МОП-транзистор 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (Vishay / Siliconix) МОП-транзистор N-Channel 600V | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay / Siliconix) МОП-транзистор N-Channel 600V | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductors) МОП-транзистор 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductors) МОП-транзистор 600V 380mOhms@10V 12A N-Ch E-SRS | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductors) МОП-транзистор 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | — | 1 неделя | — | ||
| (Vishay Semiconductors) МОП-транзистор 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | — | 1 неделя | — | ||
| — | 1 неделя | — | |||
| (STMicroelectronics) МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in I2PAKFP package | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
| (FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — |
| (Alpha and Omega Semiconductor) | — | заказ | 358.20 руб. | ||
| (Alpha and Omega Semiconductor) | — | заказ | 296.10 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 412.20 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 88.74 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 81 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 59.31 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 117 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 101.70 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 396 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 61.74 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 273.60 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 239.40 руб. | ||
| (IXYS) | — | заказ | — | ||
| (Vishay Intertechnology) | — | заказ | 133.20 руб. | ||
| (Vishay Intertechnology) | — | заказ | 274.50 руб. | ||
| (Vishay Intertechnology) | — | заказ | 316.80 руб. | ||
| (Vishay Intertechnology) | — | заказ | 234 руб. | ||
| (Vishay Intertechnology) | — | заказ | 189.90 руб. | ||
| (Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 189 руб. | ||
| (Rochester Electronics) | — | заказ | 181.80 руб. |
| (FAIR) | — | заказ | 0.76 руб. |
| 1000 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 19 шт | — | — | |||
| 18 шт | — | — | |||
| 18 шт | — | — | |||
| 16 шт | — | — | |||
| 18 шт | — | — | |||
| 50 шт | — | — | |||
| 19 шт | — | — | |||
| 12 шт | — | — | |||
| 16 шт | — | — | |||
| 16 шт | — | — | |||
| 15 шт | — | — | |||
| 14 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 7 шт | — | — | |||
| 21 шт | — | — | |||
| 13 шт | — | — | |||
| 15 шт | — | — | |||
| 900 шт | — | — | |||
| 500 шт | — | — | |||
| 500 шт | — | — | |||
| 750 шт | — | — | |||
| 18 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
328- FQPF12N60C
- FQP12N60C
- SIHB12N60E-GE3
- FDPF12N60NZ
- HGTG12N60A4D
- HGTP12N60A4D
- HGTP12N60C3D
- SIHF12N60E-GE3
- SIHP12N60E-GE3
- HGTG12N60A4
- STP12N60M2
- HGT1S12N60A4DS
- SIHP12N60E-E3
- AOTF12N60
- HGT1S12N60C3DS
- FDP12N60NZ
- SIHA12N60E-E3
- STF12N60M2
- FQI12N60TU
- SiHP12N60E
- HGTP12N60A4
- FQP12N60
- STU12N60M2
- SIHF12N60E-E3
- STL12N60M2
- HGTG12N60C3D
- FPQF12N60C (ST-STF12NK60Z)
- FQB12N60TM
- AOT12N60
- FPQF12N60C (ST-STP10NK60ZFP)
- FQPF12N60T
- STFI12N60M2
- FPQF12N60C (ST-STF9NM60N)
- FQPF12N60 (ST-STP10NK60Z)
- FQA12N60 (ST-STW10NK60Z)
- HGT1S12N60A4S9A
- FQPF12N60C TO-220F
- FQPF12N60 (ST-STP10NK60ZFP)
- FQAF12N60
- FQPF12N60
- HGTP12N60C3
- FDPF12N60NZ (=FQPF12N60C) , TO220F
- FMI12N60ES (ST-STI18NM60N)
- FQA12N60
- IDS-3112N-60XGA1E
- STD12N60M2
- KF12N60F (ST-STF12NK60Z)
- FQI12N60CTU
- NGTG12N60TF1G
- CS12N60F
- FPQF12N60C (ST-STP10NK60Z)
- STD12N60DM6
- IXGP12N60CD1
- KF12N60F
- FMC12N60ES (ST-STB13NM60N)
- FQPF12N60C (ST-STF12NK60Z)
- FQPF12N60 (ST-STF9NM60N)
- IXGA12N60CD1
- FQPF12N60C TO220F
- SIHB12N60ET5-GE3
- TSF12N60M
- SIHB12N60ET1-GE3
- IXGH12N60CD1
- FQB12N60
- ASP1212-N60NT
- HGT1S12N60B3S
- 12N60 (FQP12N60) TO220 ON
- 12N60C (FQPF12N60C) TO220F ON
- 12N60FI (STH12N60FI) TO3PF
- Транзистор HGTG12N60A4 TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
- 12N60 12A 600V
- 12N60C (IXGP12N60C) TO220 IXYS БЕЗ ДИОДА!!!!
- HGTP12N60C3 (TO-220)
- транз 12A60D /N /51 /TO-220F /[12N60]
- HGTG12N60A4D, аЁбва IGBT 600 54 167в [TO-247]
- 12N60C FQPF12N60C
- N74F112N,602
- SSP12N60B TO220 Fair
- HGTP12N60C3D G12N60C3D
- KF12N60 K12A60D,TK12A60D,K12A60U
- SIHB12N60EGE3
- HGT1S12N60B3DS
- FQP12N60C FAIR
- IXGP12N60C
- H12N60FI 12A 600V STH12N60FI,12N60FI
- FQP12N60C TO220 Fair
- транз IRFB4212 /N /60 /TO-220 /IR
- CS2512N6-0R01-5%
- IXGH12N60B
- AOW12N60 (TO-262)
- FQB12N60TM_AM002
- AOWF12N60 (TO-262F)
- CS12N60FA9H
- HGT1S12N60B3D
- AOTF12N60 (TO-220F)
- 12N60C FQP12N60C
- IXGR12N60C
- SVD12N60F
- IXGH12N60BD1
- FQB12N60C
- 12N60
- SSP12N60B
- AOWF12N60 (TO-262F)
- AOB12N60FD (TO-263)
- AOW12N60 (TO-262)
- FML12N60ES
- IXGP12N60B
- IXGA12N60B
- AOT12N60FD
- FQP12N60C TO220 транзисторы
- FQPF12N60C TO220F Fair
- FMP12N60ES
- Транзистор HGTG12N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,<75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания
- PCHNN3-4-12N (6.0)
- SIHF12N60EGE3
- FDPF12N60 TO-220
- SVF12N60F
- AOT12N60FD (TO-220)
- ASP1212-N60DT
- FDPF12N60NZ, аЁбва N- 600 12 (=FQPF12N60C), [TO-220F]
- HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247.]
- FQPF12N60CT
- IXGA12N60C
- HGTG12N60C3D_NL
- HGT1S12N60C3R
- 12N60A4
- FDP12N60C
- FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F]
- SIHA12N60E
- FQPF12N60C TO220F
- HGT1S12N60C3
- SSP12N60B TO220F Fair
- 12N60A4 (HGTG12N60A4) N815AB TO247
- HGT1S12N60A4S9A (TO-263/D2PAK)
- AOTF12N60L
- TF12N60 TO220F Alpha Omega Semiconductor
- SIHF12N60EG
- HGT1S12N60B3
- 12N65F (SVF12N60F) TO220F от 5шт SILAN 12A 650V 0,64Ohm N-Channel MOSFET =10N65
- CS2512N6-0R016-1%
- FQPF12N60C TO220F Fair
- HGTP12N6001
- HGTG12N60A4D (TO-247)
- HGTP12N60B3 G12N60B3
- PCHSN5-12N (6.0)
- 12N65F (SVF12N60F) TO220F SILAN 12A 650V 0,64Ohm N-Channel MOSFET =10N65
- FMC12N60ES
- HGTG12N60A4 (TO-247)
- FMV12N60ES
- HGTG12N60B3
- HGTP12N60A4D (TO-220)
- FQPF12N60C FAIR
- SIHP12N60E-BE3
- 12N60C (FQP12N60C) TO220 ON
- HGT1S12N60C3S9AR4501
- AOB12N60FDL
- SIHP12N60EG
- транз 12N60C /N /51 /TO-220F /[K12A60D]
- FQPF12N60C TO220F транзисторы
- HGT1S12N60A4DS (TO-263/D2PAK)
- SIHB12N60EG
- FQB12N60CTM
- 12N60A4 (HGTG12N60A4) 1J26AC TO247
- SIHF12N60E
- HGT1S12N60C3D
- IXGH12N60C
- 12N60F orig
- FMI12N60ES
- STD12N60DM2AG
- PCHNN5-12N (6.0)
- PCHSS5-12N (6.0)
© ИТС «Электронные компоненты»,
Все материалы сайта носят исключительно информационный характер и ни при каких условиях не являются публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Пользовательское соглашение
Мобильная версия
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?