Продавец | Наименование | Склад | Под заказ | Цена |
---|
Светильник магистральный; P=120Вт; нейтральный; 4000...4500К; 80-100лм/Вт; ??=12000лм; LED=1LED; Ra=>70; >50000час; IP65 | — | 3 недели |
1 шт: 235 320 руб. 1 шт: 190 941.86 руб. 2+ шт: 124 420.26 руб.
|
||
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=17А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=17А | — | 3 недели | — | ||
Транзистор IGBT; Uкэ=1200В; Iк=17А | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический SMD (ЧИП конд. керамич.); SMD 1210; 12пФ; ±5%; 10В; C0G | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический SMD (ЧИП конд. керамич.); SMD 1210; 12пФ; ±5%; 16В; C0G | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический SMD (ЧИП конд. керамич.); SMD 1210; 12пФ; ±5%; 25В; C0G | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический SMD (ЧИП конд. керамич.); SMD 1210; 12пФ; ±5%; 50В; C0G | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический SMD (ЧИП конд. керамич.); SMD 1210; 12пФ; ±5%; 100В; C0G; ±5% | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический; SMD 1210; 12пФ; ±5%; 200В; NP0 | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический; SMD 1210; 12пФ; ±5%; 250В; NP0 | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический; SMD 1210; 12пФ; ±5%; 500В; NP0 | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический; SMD 1210; 12пФ; ±5%; 630В; NP0 | — | 3 недели | — | ||
Конденсатор керамический; SMD 1210; 12пФ; ±5%; 1000В; NP0 | — | 3 недели | — |
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 10А, Idm: 24А, 150Вт | — | — |
1 шт: 2 184.82 руб. 3 шт: 2 031.71 руб. 10 шт: 1 774.41 руб. 30+ шт: 1 525.92 руб.
|
|
(ONSEMI) Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 35А, 298Вт, TO247 | — | 48 шт |
1 шт: 530.38 руб. 5 шт: 498.64 руб. 10 шт: 471.86 руб. 19 шт: 448.68 руб. 30+ шт: 428.94 руб.
|
||
(ONSEMI) Транзистор: IGBT, 1200В, 17А, 298Вт, TO220-3 | — | 3 шт, 9 недель |
1 шт: 1 121.62 руб. 10 шт: 987.86 руб. 50 шт: 902.43 руб. 100 шт: 829.74 руб. 500+ шт: 778.43 руб.
|
(ON Semi) Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А | — | 1 неделя | 584.24 руб. |
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 3 шт | — | 357 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 18 шт | — | 263 руб. | ||
В НАЛИЧИИ на сайте s-10mitino.ru | 30 шт | — | 375 руб. |
(ONS) Тип упаковки - Tube (туба). Нормоупаковка - 30. Вес брутто - 6.7 г. Корпус - TO-247. Описание - IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail. | 48 шт | — | 592.35 руб. | ||
50 шт | — | 750 руб. | |||
(IEK) Нормоупаковка - 1. | 1 шт | — | 39 555.46 руб. | ||
(IEK) Нормоупаковка - 1. Вес брутто - 46000 г. | 2 шт | — | 31 633.51 руб. | ||
(IEK) Нормоупаковка - 1. Вес брутто - 59000 г. | 4 шт | — | 36 692.83 руб. | ||
(IEK) Нормоупаковка - 1. Вес брутто - 62000 г. | 2 шт | — | 49 737.70 руб. |
(ONS) Биполярный транзистор IGBT 1200 В 35 А | — | 48 шт, 1 неделя |
1 шт: 844.80 руб. 5 шт: 802.80 руб. 10+ шт: 760.80 руб.
|
||
(Китай) Транзистор HGTG10N120BND TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTDiNPT1200V35A80A2.45V21ns190ns298WУправление двигателями AC и DC ИП и драйверы для соленоидов реле и контакторов | — | 1050 шт, 1 неделя |
1 шт: 559.20 руб. 5 шт: 531.60 руб. 10+ шт: 504 руб.
|
(FSC) Транзистор TO3P | 10 шт | — | 171 руб. | ||
(FAIR) IGBT+D | 6 шт | — | 1 240 руб. |
(STMicroelectronics) / М.опт: 30-119 шт. Опт: от 120 шт. | — | 3 недели | 1 129.09 руб. | ||
(ONSEMI) / М.опт: 25-49 шт. Опт: от 50 шт. | — | заказ | 403.92 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-29 шт. Опт: от 30 шт. | — | 3 недели | 1 935.59 руб. | ||
(STMicroelectronics) / М.опт: 10-24 шт. Опт: от 25 шт. | 10 шт | заказ | 1 908.43 руб. |
ЮЛ+ФЛ
|
(STMicroelectronics) SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 | 412 шт | 1 неделя | 2 096 руб. | |
(STMicroelectronics) SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 | 569 шт | 1 неделя | 1 501 руб. | ||
(onsemi) Транзистор: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 | 11031 шт | 1 неделя | 1 173 руб. | ||
(ONSEMI) Транзистор: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | 800 шт | 1 неделя | 1 007 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GENX4 XPT TO-264 | 39 шт | 1 неделя | 7 070 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264 | 274 шт | 1 неделя | 4 826 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264 | 39 шт | 1 неделя | 5 387 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B | 185 шт | 1 неделя | 8 224 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT PLUS247 | 103 шт | 1 неделя | 6 581 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247 | 266 шт | 1 неделя | 5 387 руб. | ||
(IXYS) Транзистор: IGBT 1200V 110A GEN4 XPT PLUS247 | 192 шт | 1 неделя | 5 602 руб. | ||
(STMicroelectronics) IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | 499 шт | 1 неделя | 2 709 руб. |
(FSC) TO3P | 22 шт | — | 215 руб. |
(IEK) | 53 шт | 1 неделя | 33 227.25 руб. |
(Sumida) | — | заказ | — | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | 1 510.37 руб. | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | — | ||
(Taiwan Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 353.83 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 235.23 руб. | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | — | ||
(ON Semiconductor) | — | заказ | 332.26 руб. | ||
(LITTELFUSE) | — | заказ | 3 987.15 руб. | ||
(LITTELFUSE) | — | заказ | 5 145.66 руб. | ||
(LITTELFUSE) | — | заказ | 3 987.15 руб. | ||
(Xp Power) | — | заказ | — | ||
(STMicroelectronics) | — | заказ | — |
(FAIR) | — | заказ | — | ||
(Fairchild) IGBT ваЁбвал | — | заказ | — | ||
(FSC) IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | — | заказ | — |
(ON Semiconductor) D/C: N/A TO-220 N/A 1 | 3200 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) 23+ N/A 1 | 15000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) DC: N/A N/A 1 | 18000 шт | 5 недель | — | ||
(ON Semiconductor) DC: N/A N/A 1 | 18000 шт | 5 недель | — |
(FAIR) | — | 1 неделя | — | ||
(FSC) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIR) | — | 1 неделя | — |
— | заказ | — | |||
(NXP) | — | заказ | — | ||
(VISHAY) | 50 шт | 3 недели | 49 руб. | ||
(Broadcom) | 20 шт | 3 недели | 1 276 руб. |
(STM) | — | 52 недели | 1 376.32 руб. | ||
(STM) | — | 52 недели | 1 552.78 руб. | ||
(ONS) | — | заказ | 247.13 руб. | ||
(ONS) | — | заказ | 158.41 руб. | ||
(ONS) | — | 77 недель | 300.09 руб. | ||
(Littelfuse) | — | 7 недель | 5 482.07 руб. | ||
(Littelfuse) | — | 7 недель | 3 041.42 руб. | ||
(Littelfuse) | — | 7 недель | 5 536.05 руб. | ||
(Littelfuse) | — | 7 недель | 2 865.42 руб. |
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 99.90 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 281.70 руб. | ||
(Fairchild Semiconductor) | — | заказ | 100.80 руб. |
(Fairchild Semiconductor) | 1504 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 188 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 1305 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 362 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 188 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 846 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 2466 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 1765 шт | 2 недели | — | ||
(Fairchild Semiconductor) | 231 шт | 2 недели | — |
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(STMicroelectronics) МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(Fairchild Semiconductor) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V | — | 1 неделя | — | ||
— | 1 неделя | — | |||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — | ||
(FAIRCHILD) | — | 1 неделя | — |
5 шт | — | — |
ВСЕ КОМПОНЕНТЫ
113- HGTG10N120BND
- HGT1S10N120BNST
- HGTP10N120BN
- SCT10N120
- SCT10N120AG
- SCTWA10N120
- HGT1S10N120BNS
- IXYK110N120A4
- FGA10N120AND
- IXYN110N120A4
- IXYX110N120C4
- IXYX110N120A4
- NM27C010N120
- IXYK110N120B4
- BL-910N-120
- TSG10N120CN C0G
- TITAN 5 Корпус металлический ЩМП-120.60.40 УХЛ1 IP66 TI5-10-N-120-060-040-66
- G10N120UFD
- HGTG10N120BND_Q
- ZHGTP10N120BN
- IXYK110N120C4
- CERCAP 12pF/25V C0G 1210 (1210N120J250CT, CL32C120JACNNNC)
- A10-N120-A
- HGT1S10N120BNS (TO-263/D2PAK)
- SCT10N120H
- FGA10N120ANTD TO247 Fair
- FGA10N120AND Fairchild
- ZHGT1S10N120BNST
- CERCAP 12pF/1000V C0G ±5% 1210 (C1210N120J102T)
- CERCAP 12pF/630V C0G ±5% 1210 (C1210N120J601T)
- HGT1S10N120BNS D2PAK TO263 ONS код 10N120BN
- SGH10N120RUFTU
- CERCAP 12pF/16V C0G 1210 (1210N120J160CT, CL32C120JOCNNNC)
- CERCAP 12pF/500V C0G ±5% 1210 (C1210N120J501T)
- HGTG10N120BN
- HGTG10N120BND TO247 Fair
- Транзистор HGTG10N120BND TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;NPT;1200V,35A/80A,2.45V,21ns/190ns,298W,,Управление двигателями AC и DC, ИП и драйверы для соленоидов, реле и контакторов
- Корпус металлический ЩМП-120.80.30 УХЛ1 IP66 TITAN 5 IEK TI5-10-N-120-080-030-66
- CERCAP 12pF/10V C0G 1210 (1210N120J100CT, CL32C120JPCNNNC)
- HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247] [EOL]
- CERCAP 12pF/100V C0G 1210 (1210N120J101CT, CL32C120JCCNNNC)
- 10N120AND
- 10N120BND
- G10N120BND
- CERCAP 12pF/200V C0G ±5% 1210 (C1210N120J201T)
- CERCAP 12pF/50V C0G 1210 (1210N120J500CT, CL32C120JBCNNNC)
- HGTG10N120BND, IGBT транзистор
- MGTP10N120BN
- Корпус металлический ЩМП-120.60.30 УХЛ1 IP66 TITAN 5 TI5-10-N-120-060-030-66
- CERCAP 12pF/250V C0G ±5% 1210 (C1210N120J251T)
- HGTG10N120BND, IGBT ваЁбва
- SGH10N120RUFDTU
- PS/EY010N120-22
- HGTG10N120BND (TO-247)
- IXYX110N120B4
- G10N120BN
- Корпус металлический ЩМП-120.80.40 УХЛ1 IP66 TITAN 5 TI5-10-N-120-080-040-66
- IXYN110N120C4
- HGTP10N120BN (TO-220)
- 27C010N-120
- Корпус металлический ЩМП-120.80.30 УХЛ1 IP66 TITAN 5 TI5-10-N-120-080-030-66
Был ли сайт полезен?
Готовы ответить на несколько вопросов?