Актуальные предложения от поставщиков по компоненту «Транзистор HGTG30N60A4D TO-247 ON Semiconductor MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питания»:
ООО "Компания РЭССИ"
|
1055 шт.
/ 1 неделя
|
|
Транзистор HGTG30N60A4D TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTDiSMPS Series600V75A240A1.8V25ns150ns463W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания
|
1 шт: 720 руб. 5 шт: 684 руб. 10+ шт: 648 руб.
|
|
1 шт: 720 руб.
5 шт: 684 руб.
10+ шт: 648 руб.
Транзистор HGTG30N60A4D TO247 ON Semiconductor MOSNIGBTDiSMPS Series600V75A240A1.8V25ns150ns463W низкие потери проводимости Высокочастотные импульсные источники питания
Россия, Воронеж
ООО "Компания РЭССИ"